Die Siliziumkarbid-Feinpolierschlämme von Gizhil Electronic eignet sich für die Oberflächenplanarisierung von SiC-Siliziumkarbid-Wafersubstraten bei der Präzisionsbearbeitung. Die für das Polieren von Wafern verwendete Aufschlämmung weist eine hohe Poliereffizienz und eine geringe Oberflächenrauhigkeit auf. Nach dem Polieren mit der SiC-Substrat-Polierflüssigkeit von Gizhil Electronic ist die Wafer-Oberfläche frei von Defekten wie Kratzern und Trübungen und gewährleistet eine hervorragende Ebenheit der Siliziumkarbid-Wafer. Die von Gizhil Electronic entwickelte Siliziumkarbid-Polierflüssigkeit bietet ein hohes Verdünnungsverhältnis und eine einfache Reinigung nach dem Polieren, wodurch sie bei der Herstellung von Substraten für integrierte Halbleiterschaltungen weit verbreitet ist.
Der SiC-Slurry von Gizhil Electronic für das Polieren von Wafern zeichnet sich durch hervorragende Fließfähigkeit und Dispergierbarkeit aus und bietet zudem Vorteile wie Kristallisationsbeständigkeit, einfache Reinigung und hohe Poliereffizienz. Sie erfüllt die Anforderungen an das Feinpolieren von Siliziumkarbid-Wafern und kann auch als chemisch-mechanische Poliersuspension für Siliziumwafer (Si-Wafer) auf der Grundlage kundenspezifischer Prozesse angepasst werden.
