3C Product Mirror Polishing Solution: Lochfraßfreie SiO2-Kieselsäure-Polierschlämme

Veröffentlicht am: 2025年12月5日Ansichten: 371

Warum CMP gegenüber elektrochemischem Polieren für das Hochglanzpolieren von 3C-Produkten wählen?

In der 3C-Industrie (Mobiltelefone, Laptops, Smart Wearables usw.) wird das elektrochemische Polieren aufgrund von Problemen wie Kantenüberätzung und Materialbeschränkungen nach und nach durch CMP (Chemical Mechanical Polishing) ersetzt. Durch die mechanisch-chemische Synergie seines nanoskaligen SiO2-Polierschlamms erreicht Jizhi Electronics dies:

① Präzision auf der Nanoskala: Oberflächenrauhigkeit Ra < 2 nm, erfüllt die Anforderungen an optische Spiegel.
② Anpassungsfähigkeit komplexer Strukturen: Geeignet für unregelmäßige Teile wie Mittelteile aus Aluminiumlegierungen und Knöpfe aus Edelstahl.
③ Verbesserung der Effizienz: Reduziert die Bearbeitungszeit um 30% im Vergleich zu herkömmlichen Methoden.

Eingehende Analyse des Lochfraßproblems bei Silica-Polierschlämmen

Die von Kunden gemeldeten Probleme mit Lochfraß haben oft folgende Ursachen:

  • Korrosion durch Kieselsäure: Na+, Cl- Ionen in niedrigreinen Schlämmen, die elektrochemische Korrosion von Metallen auslösen.

  • Prozessdefekte: Restkratzer > 0,1μm aus vorangegangenen Grobpolierstufen werden beim Feinpolieren verstärkt.

Jizhi Electronics Lösung
① Hochreines ammoniakstabilisiertes Kieselsol: Metallverunreinigungen < 1ppm, mit präziser pH-Kontrolle (8-10).
② Technologie zur Oberflächenveränderung: Mit Silan-Haftvermittlern beschichtete Schleifmittel verringern die direkte Kontaktkorrosion.
③ Unterstützung von Prozesspaketen: Bietet komplette Parametersätze vom Grobpolieren (Ra 50nm → 10nm) bis zum Feinpolieren (Ra → 2nm).

Technische Vorteile von Jizhi Electronics Silica Polierschlämme

Technischer Indikator Industriestandardprodukt Jizhi Electronics Lösung
Abrasive Partikelgröße 50-200nm (breite Verteilung) 10-150nm (D50 ±5nm)
Metallische Verunreinigungen > 10ppm < 1ppm (ICP-MS zertifiziert)
Korrosionstest Oxidation tritt nach 48 Stunden auf Keine Korrosion nach 96 Stunden (ASTM B117)

Jizhi Electronics bietet hochpräzise, nicht korrosive SiO2-Poliermittel/CMP-Polierpads an, um das Problem der Lochfraßbildung beim Spiegelpolieren von 3C-Produkten zu lösen. Unsere nanoskaligen Schleifmittel (10-150nm) erreichen eine Oberflächenpräzision von Ra < 2nm. Mit 25 Jahren Erfahrung in der CMP-Prozesstechnologie ermöglichen wir Polier-Upgrades für Halbleiter, Metalle und Siliziumwafer! Für weiteren technischen Austausch können Sie das technische Team von Jizhi Electronics kontaktieren, um die “3C Produkt CMP-Polieren Weißbuch” und Branchenlösungen.

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Konsultation und Kostenvoranschlag

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