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Warum CMP statt elektrochemischem Polieren für das Hochglanzpolieren von 3C-Produkten wählen? In der 3C-Industrie (Mobiltelefone, Laptops, Smart Wearables usw.) wird das elektrochemische Polieren aufgrund von Problemen wie Kantenüberätzung und Materialbeschränkungen nach und nach durch CMP (Chemical Mechanical Polishing) ersetzt. Durch die mechanisch-chemische Synergie seiner nanoskaligen SiO2-Polierschlämme erreicht Jizhi Electronics: ① Präzision im Nanobereich: Oberflächenrauhigkeit Ra < 2nm, erfüllt die Anforderungen an optische Spiegel. ② Komplexe Struktur Anpassungsfähigkeit: Geeignet für unregelmäßige Teile wie Mittelteile aus Aluminiumlegierungen und Knöpfe aus Edelstahl. ③ Effizienzverbesserung: Reduziert die Bearbeitungszeit um 30% im Vergleich zu herkömmlichen Methoden. Eingehende Analyse des Lochfraßproblems bei Silica-Polierschlämmen Kundenberichte über Lochfraß ...
In Bereichen wie der Halbleiterherstellung, der Präzisionsoptik und der Verarbeitung harter Legierungen entscheidet das hochpräzise Polieren von Materialoberflächen direkt über die Leistung und Zuverlässigkeit der Produkte. Jizhi Electronics nutzt fortschrittliche F&E-Kapazitäten und eine ausgereifte Prozesstechnologie und stellt seine Hochleistungsserie von Diamantpolier-/Schleifsuspensionen vor, die effiziente und stabile Polierlösungen für Materialien mit hoher Härte bieten. Die Diamantsuspensionsprodukte (Schleifslurry/Polierslurry) von Jizhi Electronics decken verschiedene Polieranforderungen ab und werden je nach Materialeigenschaften und Prozessanforderungen wie folgt klassifiziert: 1. Klassifizierung nach Kristallstruktur Monokristalline Diamant-Poliersuspensionen: Zeichnet sich durch eine einkristalline Struktur und gleichmäßige Schnittkraft aus, geeignet für hochpräzises Oberflächenpolieren und ...
I. CMP-Poliertechnik: Ein Schlüsselprozess in der Halbleiterfertigung Die chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) ist einer der wichtigsten Prozesse in der Herstellung von Halbleitersiliziumwafern und wirkt sich direkt auf die Chipleistung und den Ertrag aus. Während der Waferbearbeitung erreicht CMP durch die synergetische Wirkung von chemischer Korrosion und mechanischem Schleifen eine Oberflächenplanarisierung auf atomarer Ebene (Rauheit <0,2nm) und erfüllt damit die Anforderungen an ultra-saubere und ultra-flache Oberflächen in fortgeschrittenen Prozessknoten. Drei Kernfunktionen der CMP-Polierslurry von Jizhi Electronics ① Effizientes Polieren: Nanoskalige Schleifmittel (z. B. kolloidales SiO2) entfernen präzise Oberflächenvorsprünge, verbessern die Ebenheit der Wafer und reduzieren Mikrokratzer. ② Schmierung und Schutz: Spezielle Additive reduzieren den Reibungskoeffizienten (<0,05) und minimieren so den Verschleiß der Ausrüstung ...
In der globalen Planarisierungsphase der Waferherstellung ist das chemisch-mechanische Polieren (CMP) ein kritischer Prozess. Als zentrales Verbrauchsmaterial bestimmt der CMP-Polierschlamm direkt die wichtigsten Oberflächenkennzahlen des Wafers, wie z. B. Ebenheit und Fehlerquote, und wirkt sich somit auf die endgültige Chipleistung und den Ertrag aus. Basierend auf den wichtigsten Vorteilen und Auswahlkriterien von CMP-Polierschlämmen gibt Jizhi Electronics praktische Hinweise für Unternehmen der Halbleiterindustrie. I. Vier Hauptmerkmale von CMP-Polierschlämmen CMP-Polierschlämme bestehen aus Komponenten wie Schleifmitteln, Oxidationsmitteln und Chelatbildnern und erfordern ein Gleichgewicht zwischen “chemischer Korrosion” und “mechanischem Schleifen”. Die wichtigsten Eigenschaften lassen sich wie folgt zusammenfassen ...
