Welche besonderen Eigenschaften sind für Finishing Pads bei der Verarbeitung von Halbleitermaterialien der dritten Generation wie Galliumnitrid (GaN) erforderlich?

Drei besondere Voraussetzungen müssen erfüllt sein:

• Belastungsarmes Polieren: Der Elastizitätsmodul des Substrats muss dem spröden Charakter von GaN entsprechen (Bruchzähigkeit < 2 MPa-m¹/²), um Mikrorisse zu vermeiden.

• Beständigkeit gegen stark alkalische Umgebungen: PTFE-modifiziertes Polyurethan ermöglicht stabilen Betrieb > 200 Stunden in KOH-basierten Schlämmen mit pH > 12

• Verbessertes Wärmemanagement: Wärmeleitfähigkeit > 0,5 W/m-K für eine schnelle Ableitung der lokalen Reibungswärme (GaN ist temperaturempfindlich)
  Jizhi Elektronik’ GaN-spezifische Pad-Serie wurde in der Massenproduktion von 6-Zoll-Wafern mit einer Verzugskontrolle < 50 µm validiert.