Schleifen und Polieren von Siliziumkarbid-Substraten

Produktmerkmale

JIZHI Electronics hat ein vierstufiges SiC-Polierverfahren entwickelt, bei dem verschiedene Qualitäten von Schleifschlämmen, Polierschlämmen und Polierpads (Grobschleifpad, Feinschleifpad, Grobpolierpad und Endpolierpad) kombiniert werden. Dieses Verfahren verbessert die Oberflächenqualität von Siliziumkarbidsubstraten bei Schleif- und Polieranwendungen und erhöht gleichzeitig die Materialabtragsrate erheblich.

Verfahren und Anwendungen

Geeignet für DMP- und CMP-Verfahren für SiC-Siliciumcarbid-Substrate, wodurch Effizienz und Ausbeute effektiv verbessert werden. Die Siliziumkarbid-Polierschlämme und -Polierpads ermöglichen den Ersatz von importierten Produkten vor Ort (im Inland).

Kurzer Überblick über den Verarbeitungsprozess von Siliziumkarbid-Substraten

Siliziumkarbid (SiC) Schleifprozess - Grobschleifen / Feinschleifen

Stufe1
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobschleifverfahren

SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren
Ausrüstung für die Verifizierung	双面36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8003
Polierkissen	JZ-1020
Druck	3 psi
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze	25 Umdrehungen pro Minute
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte	10 Umdrehungen pro Minute
Durchsatz der Gülle	5L /min
Polierrate	25-30um/H
Oberflächenrauhigkeit	1,22nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bogen	<10

Grobschleifen - Verwendung mit Läppkissen
Abmessungen und Spezifikationen der Läppscheibe
Modell	JZ-1020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.92

Stufe2
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Feinschleifverfahren

SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren
Ausrüstung für die Verifizierung	双面36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8001
Polierkissen	JZ-1020
Druck	3 psi
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze	25 Umdrehungen pro Minute
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte	10 Umdrehungen pro Minute
Durchsatz der Gülle	5L /min
Polierrate	6,8 um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,45nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bogen	<20

ine Schleifen - verwendet mit Läppscheibe
Abmessungen und Spezifikationen der Läppscheibe
Modell	JZ-1020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.92

JIZHI Electronics’ CMP Grob- und Feinschleifverfahren für SiC-Substrate

Tipp 1 - Bei Verwendung einer groben Schleifsuspension mit einem Läppkissen kann Ra 1,22 nm oder weniger erreichen.
Tipp 2 - Bei Verwendung einer feinen Schleifsuspension mit einem Läppkissen kann Ra 0,45 nm oder weniger erreichen.

Siliziumkarbid (SiC) Polierverfahren - Grobpolieren / Feinpolieren

Stufe 3
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobpolierverfahren

CMP-Grobpolierverfahren für SiC-Substrate
Ausrüstung für die Verifizierung	双面36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8010
Polierkissen	JZ-3020
Druck	350g/cm2
Rotationsgeschwindigkeit	40 Umdrehungen pro Minute
Polierrate	2,5um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,13nm

Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads
Modell	JZ-3020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.94

Stufe4
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Endpolierverfahren

CMP-Grobpolierverfahren für SiC-Substrate
Ausrüstung für die Verifizierung	双面36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8020
Polierkissen	JZ-326
Druck	300g/cm2
Rotationsgeschwindigkeit	40 Umdrehungen pro Minute
Polierrate	0,25 um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,06nm

Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads
Modell	JZ-326
Dicke	1,3 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 51°
Verdichtungsverhältnis	10.77

JIZHI Electronics’ CMP-Vor- und Endpolierverfahren für SiC-Substrate

Tipp 3 - Bei der Verwendung von grobem Polierschlamm mit einem Läppkissen kann Ra 0,13 nm oder weniger erreichen.
Tipp 4 - Mit einer Endpolierflüssigkeit und einem Endpolierpad kann Ra 0,06 nm oder weniger erreichen.

Empfohlene Produkte und Parameter für Siliziumkarbid-Schleif-/Polierprozesse

Lagerungsmethode für JIZHI Electronics SiC Siliziumkarbid-Polierschlamm

In einem gut belüfteten, kühlen und trockenen Lagerhaus aufbewahren. Das Produkt muss bei 5-35 °C gelagert werden und vor direkter Sonneneinstrahlung und Frost geschützt werden. Bei Lagerung unter 0 °C kann es zu irreversibler Agglomeration kommen, wodurch das Produkt unbrauchbar wird.

Preisgestaltung von JIZHI Electronics CMP / Slurry Polierflüssigkeiten

Die CMP-Metallpolierschlämme von JIZHI Electronics werden mit fortschrittlichen Produktionstechnologien und -anlagen in Übersee hergestellt und mit speziellen chemischen Zusammensetzungen formuliert. Die Qualität der Polierschlämme von JIZHI Electronics ist vergleichbar mit der von ähnlichen importierten Produkten.

Dank der lokalen Produktion bieten die CMP-Slurries von JIZHI Electronics kurze Lieferzeiten, eine stabile, hohe Qualität und wettbewerbsfähige, kostengünstige Preise.