{"id":1373,"date":"2026-01-28T10:14:56","date_gmt":"2026-01-28T02:14:56","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?p=1373"},"modified":"2026-01-28T10:27:21","modified_gmt":"2026-01-28T02:27:21","slug":"dicing-blade-specifications-for-wafer-dicing-applications","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/dicing-blade-specifications-for-wafer-dicing-applications\/","title":{"rendered":"Spezifikationen f\u00fcr Dicing-Klingen f\u00fcr Wafer-Dicing-Anwendungen"},"content":{"rendered":"<p>Die genaue Spezifikation von Dicing Blades ist ein entscheidender Faktor bei der Vereinzelung von Halbleiterwafern. \u00dcber die Nenndicke und -breite hinaus bestimmt das Zusammenspiel von Diamantkorn, Konzentration, Bindungsart, Ausr\u00fcstungsgrenzen und Wafermaterial die Konsistenz der Schnittfuge, die Qualit\u00e4t der Kante, die Festigkeit des Chips und die Gesamtausbeute. Um h\u00e4ufige Fallstricke zu vermeiden und ein leistungsstarkes Dicing zu erreichen, ist ein technisches Verst\u00e4ndnis auf Systemebene erforderlich.<\/p>\n<p>Dieses Whitepaper fasst technische Erkenntnisse aus <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/wafer-dicing-blades-for-semiconductor-applications\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Wafer-W\u00fcrfelklingen<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/diamond-dicing-blades-for-wafer-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Diamant-W\u00fcrfelklingen<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/dicing-saw-blade-thickness-for-wafer-cutting\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Dicke der Klinge<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/dicing-saw-blade-width-in-semiconductor-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Breite der Klinge<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/wafer-dicing-blades-for-dicing-equipment\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Kompatibilit\u00e4t der Ger\u00e4te<\/a>, und <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/how-to-choose-the-right-dicing-blades\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Auswahl der Klinge<\/a> um ein umfassendes Nachschlagewerk f\u00fcr Ingenieure zu schaffen.<\/p>\n<h2>Inhalts\u00fcbersicht<\/h2>\n<ul>\n<li><a href=\"#core-parameters\">Parameter und technische Analyse der Kernschneideschaufel<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#dynamic-effects\">Dynamische Effekte und Fehlermodi<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#custom-solutions\">Erweiterte und kundenspezifische Klingen-Spezifikationen<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#optimization-strategies\">Strategien zur Parameteroptimierung<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#common-mistakes\">H\u00e4ufige Fehler bei der Auswahl und deren Vermeidung<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#conclusion\">Zusammenfassung und \u00dcberlegungen auf Systemebene<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<h2 id=\"core-parameters\">Parameter und technische Analyse der Kernschneideschaufel<\/h2>\n<h3>1. Dicke der Klinge<\/h3>\n<p>Die Dicke der Schaufeln bestimmt die strukturelle Steifigkeit und den Verlust des Schnittspalts. D\u00fcnnere Schaufeln verringern die Schnittbreite, erh\u00f6hen die Anzahl der Matrizen und verringern den Materialabfall, aber sie erh\u00f6hen auch die Anf\u00e4lligkeit f\u00fcr Vibrationen, Flattern und Laufen.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Dicke (\u03bcm)<\/th>\n<th>Stabilit\u00e4tsniveau<\/th>\n<th>Kerbenbreite (\u03bcm)<\/th>\n<th>Max RPM<\/th>\n<th>Empfohlenes Material<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>15-25<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<td>18-28<\/td>\n<td>20,000-30,000<\/td>\n<td>Si, d\u00fcnner Chip<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>30-50<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<td>32-52<\/td>\n<td>25,000-40,000<\/td>\n<td>Si, Standard-Die, GaAs<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-80<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<td>55-85<\/td>\n<td>20,000-35,000<\/td>\n<td>SiC, GaN, dicke Leistungsbauelemente<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Technischer Hinweis: Bei der Auswahl der Blattdicke muss Folgendes ber\u00fccksichtigt werden <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/wafer-dicing-blades-for-dicing-equipment\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Steifigkeit der Ger\u00e4tespindel<\/a> und Vorschubgeschwindigkeit. D\u00fcnnere Bl\u00e4tter erfordern niedrigere Drehzahlen oder steifere Spindeln, um eine Durchbiegung zu vermeiden.<\/p>\n<h3>2. Klingenbreite<\/h3>\n<p>Die Klingenbreite definiert den seitlichen Schnittbereich. Sie wirkt sich direkt auf die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Schnittfuge, die Kantenqualit\u00e4t und die Laufstabilit\u00e4t aus. Breitere Klingen verst\u00e4rken Rundlauf- und Vibrationseffekte, w\u00e4hrend schmalere Klingen weniger tolerant gegen\u00fcber Unzul\u00e4nglichkeiten der Ausr\u00fcstung sind.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Breite (\u03bcm)<\/th>\n<th>Anmeldung<\/th>\n<th>Kerbe Variation<\/th>\n<th>Risiko der Kantenabsplitterung<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>20-30<\/td>\n<td>Fine-Pitch-Stempel, Silizium<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>35-50<\/td>\n<td>Mittlerer Abstand, GaAs<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-80<\/td>\n<td>Harte Verbundwafer (SiC\/GaN)<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Siehe <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/dicing-saw-blade-width-in-semiconductor-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Breite der Klinge<\/a> f\u00fcr eine detaillierte Analyse der Schnittfugenkonsistenz und der Laufkontrolle.<\/p>\n<h3>3. Diamantkorngr\u00f6\u00dfe und -konzentration<\/h3>\n<p>Diamantkorn und -konzentration bestimmen die Schneideffizienz, das Kantenfinish und die Lebensdauer der Klinge. Feinere K\u00f6rnungen verringern die Mikroausbr\u00fcche, erh\u00f6hen aber die Schnittkraft pro Fl\u00e4cheneinheit, w\u00e4hrend gr\u00f6bere K\u00f6rnungen den Schnittwiderstand verringern, aber raue Kanten erzeugen k\u00f6nnen.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>K\u00f6rnung (#)<\/th>\n<th>Konzentration (%)<\/th>\n<th>Anmeldung<\/th>\n<th>Qualit\u00e4t der Kanten<\/th>\n<th>Leben der Klinge<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>800-1200<\/td>\n<td>70-100<\/td>\n<td>SiC, GaN<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<td>Lang<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>1500-2000<\/td>\n<td>50-80<\/td>\n<td>GaAs, Standard-Silizium<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>2500-4000<\/td>\n<td>40-70<\/td>\n<td>D\u00fcnnes Silizium, feine Teilung<\/td>\n<td>Sehr hoch<\/td>\n<td>Kurz<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>4. Anleiheart<\/h3>\n<p>Die Bindungssysteme (Kunstharz, Metall, Hybrid) beeinflussen die Diamanthaftung, das Selbstsch\u00e4rfungsverhalten und die Schnittkraft. Metallbindungen sind steifer und eignen sich f\u00fcr harte Wafer, w\u00e4hrend Harzbindungen besser f\u00fcr d\u00fcnnes Silizium mit minimalen Abplatzungen geeignet sind.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Art der Anleihe<\/th>\n<th>Eigenschaften<\/th>\n<th>Empfohlene Anwendung<\/th>\n<th>Anforderungen an die Ausr\u00fcstung<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Harz<\/td>\n<td>Selbstsch\u00e4rfend, geringere Schnittkraft<\/td>\n<td>D\u00fcnnes Si, Fine-Pitch-Die<\/td>\n<td>Standard-Drehmoment<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Metall<\/td>\n<td>Hohe Steifigkeit, lange Lebensdauer<\/td>\n<td>SiC, GaN, dicker Chip<\/td>\n<td>Spindel mit hohem Drehmoment<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Hybride<\/td>\n<td>Ausgewogene Abnutzung und Stabilit\u00e4t<\/td>\n<td>Gemischte Materialien<\/td>\n<td>Spindel mit mittlerem Drehmoment<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>5. Blattdurchmesser und Ausr\u00fcstungsanpassung<\/h3>\n<p>Der Durchmesser des S\u00e4geblatts wirkt sich auf die Drehzahlgrenzen, die Umfangsgeschwindigkeit und die Schnittstabilit\u00e4t aus. Er muss dem Spindelflansch und der Rotationssteifigkeit des Ger\u00e4ts entsprechen. Gr\u00f6\u00dfere Durchmesser erm\u00f6glichen glattere Schnitte bei hohen Geschwindigkeiten, kleinere Durchmesser eignen sich f\u00fcr hochpr\u00e4zise Schnitte mit geringer Kraft.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Durchmesser (mm)<\/th>\n<th>RPM-Bereich<\/th>\n<th>Anmeldung<\/th>\n<th>Technische Anmerkung<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-65<\/td>\n<td>25,000-45,000<\/td>\n<td>D\u00fcnne Si-Wafer<\/td>\n<td>Hohe Pr\u00e4zision, geringer Schnittspalt<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>70-100<\/td>\n<td>20,000-35,000<\/td>\n<td>Dicke Wafer oder Verbundwafer<\/td>\n<td>Erfordert die \u00dcberpr\u00fcfung der Spindelsteifigkeit<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>6. Spaltbreite und Kantenqualit\u00e4t<\/h3>\n<p>Die Kerbenbreite setzt sich aus der Nenndicke, der Breite, der seitlichen Vibration, dem Diamant\u00fcberstand und dem Maschinenrundlauf zusammen. Die Kantenqualit\u00e4t korreliert mit Mikroausbr\u00fcchen, der Festigkeit der Matrize und der Zuverl\u00e4ssigkeit der nachgelagerten Prozesse.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Material des Wafers<\/th>\n<th>Nennweite (\u03bcm)<\/th>\n<th>Risiko der Kantenabsplitterung<\/th>\n<th>Auswirkung auf den Ertrag<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Si<\/td>\n<td>20-35<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<td>Hohe Chipzahl, stabil<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>GaAs<\/td>\n<td>25-45<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfiger Ertrag<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>SiC \/ GaN<\/td>\n<td>40-80<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<td>Erfordert eine sorgf\u00e4ltige Auswahl der Klinge<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"dynamic-effects\">Dynamische Effekte und Fehlermodi<\/h2>\n<ul>\n<li>Blattwandern: Seitliches Abdriften aufgrund von Unwucht, Breite und Rundlauf. Abhilfe: Optimierung der Breite und Gew\u00e4hrleistung einer symmetrischen Verteilung der Diamanten.<\/li>\n<li>Vibrationsbedingte Kantenausbr\u00fcche: treten bei d\u00fcnnen, breiten oder abgenutzten Messern mit hohem Vorschub auf. Abhilfe: Vorschub reduzieren, Drehzahl anpassen, steifere Bindung w\u00e4hlen.<\/li>\n<li>Blattverschlei\u00df: Ungleichm\u00e4\u00dfige Abnutzung erh\u00f6ht die Schnittfugenvariation. Abhilfe: \u00dcberwachung der Diamantkonzentration und des Bindungstyps.<\/li>\n<li>Thermische Ausdehnung: Schnelle Schnitte auf harten Wafern k\u00f6nnen zu einer Ausdehnung der Klinge f\u00fchren, was die Konsistenz der Schnittfuge beeintr\u00e4chtigt. Abhilfe: K\u00fchlmittelmanagement und Optimierung von Drehzahl und Vorschub.<\/li>\n<\/ul>\n<h2 id=\"custom-solutions\">Erweiterte und kundenspezifische Klingen-Spezifikationen<\/h2>\n<p>F\u00fcr ultrad\u00fcnne Wafer, Fine-Pitch-Dies oder harte Verbundwafer k\u00f6nnen kundenspezifische Klingen verwendet werden:<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Parameter<\/th>\n<th>Bereich<\/th>\n<th>Engineering Nutzen<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Ultrad\u00fcnne Dicke<\/td>\n<td>12-20 \u03bcm<\/td>\n<td>Maximierung der Stanzdichte, Minimierung der Schnittfuge<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Mikro-Breite Klinge<\/td>\n<td>15-25 \u03bcm<\/td>\n<td>Reduziert die Kantenbelastung, verbessert die Stabilit\u00e4t der Schnittfuge<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Hochkonzentrierter Diamant<\/td>\n<td>100-120 %<\/td>\n<td>Verl\u00e4ngern Sie die Lebensdauer der Klinge f\u00fcr harte Wafer<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Spezielle Bindungsformulierungen<\/td>\n<td>Hybrid, verst\u00e4rktes Harz<\/td>\n<td>Gleichgewicht zwischen Selbstsch\u00e4rfung und Seitenstabilit\u00e4t<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Abgeschr\u00e4gte Kanten oder nicht kreisf\u00f6rmige Geometrien<\/td>\n<td>Benutzerdefiniert<\/td>\n<td>Minimierung von Absplitterungen und Verbesserung des Abtransports von Tr\u00fcmmern<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"optimization-strategies\">Strategien zur Parameteroptimierung<\/h2>\n<p>Ingenieure sollten einem strukturierten Arbeitsablauf folgen:<\/p>\n<ol>\n<li>Definieren Sie Wafermaterial, Dicke, Chipgr\u00f6\u00dfe und Pitch.<\/li>\n<li>Bewerten Sie die Spindel-, Drehmoment-, Rundlauf- und Flanschgrenzen der Ausr\u00fcstung.<\/li>\n<li>W\u00e4hlen Sie die Bindungsart und die Diamantk\u00f6rnung\/Konzentration je nach Materialh\u00e4rte.<\/li>\n<li>Optimieren Sie Dicke und Breite f\u00fcr die Stabilit\u00e4t der Schnittfuge und die Qualit\u00e4t der Stanzkante.<\/li>\n<li>\u00dcberpr\u00fcfen Sie den Blattdurchmesser im Verh\u00e4ltnis zur Drehzahl und zu den Randbedingungen der Geschwindigkeit.<\/li>\n<li>F\u00fchren Sie eine Probezerlegung durch und pr\u00fcfen Sie Schnittfuge, Kantenausbr\u00fcche und Klingenverschlei\u00df.<\/li>\n<li>Iterieren Sie die Parameter, um ein Gleichgewicht zwischen Ausbeute, Prozessstabilit\u00e4t und Blattlebensdauer herzustellen.<\/li>\n<\/ol>\n<p>Querverweis Klingenauswahl und <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/blade-dicing-process-for-semiconductor-wafers\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Klinge Dicing Prozess<\/a> f\u00fcr eine integrierte Entscheidungsfindung.<\/p>\n<h2 id=\"common-mistakes\">H\u00e4ufige Fehler bei der Auswahl und deren Vermeidung<\/h2>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Irrtum<\/th>\n<th>Konsequenz<\/th>\n<th>Technische Entsch\u00e4rfung<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Nur die d\u00fcnnste Klinge w\u00e4hlen<\/td>\n<td>R\u00fctteln, Gehen, W\u00fcrfelsch\u00e4den<\/td>\n<td>Abw\u00e4gen von Dicke und Breite, Ber\u00fccksichtigung der Spindelsteifigkeit<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Anleiheart ignorieren<\/td>\n<td>Vorzeitiger Verschlei\u00df oder Abplatzungen<\/td>\n<td>Auswahl der Bindung je nach Waferh\u00e4rte und Vorschubgeschwindigkeit<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>\u00dcbersehen von Ausstattungsgrenzen<\/td>\n<td>Schaufelflattern, Schnittfugenvariation<\/td>\n<td>Drehzahl, Drehmoment, Flanschkompatibilit\u00e4t pr\u00fcfen<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Keine \u00dcberwachung der Diamantkonzentration<\/td>\n<td>Verschlechterung der Kantenqualit\u00e4t<\/td>\n<td>Beibehaltung der empfohlenen K\u00f6rnung und Konzentration<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>\u00dcberspringen der Pilotvalidierung<\/td>\n<td>Unentdeckte Kantenfehler, Ertragsverlust<\/td>\n<td>SEM\/optische Inspektion der ersten Schnitte durchf\u00fchren<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"conclusion\">Zusammenfassung und \u00dcberlegungen auf Systemebene<\/h2>\n<p>Die Spezifikationen von Dicing Blades sind mehrdimensionale technische Parameter, die als System optimiert werden m\u00fcssen. Dicke, Breite, Diamantk\u00f6rnung, Konzentration, Bindungsart und Durchmesser stehen in Wechselwirkung mit dem Wafermaterial und den Ausr\u00fcstungsgrenzen, um die Schnittfuge, die Kantenqualit\u00e4t, die Formfestigkeit und die Lebensdauer der Klinge zu bestimmen.<\/p>\n<p>F\u00fcr beste Ergebnisse:<\/p>\n<ul>\n<li>Integrieren Sie Wissen aus <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/dicing-blade-technology-in-semiconductor-manufacturing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Dicing Blade Technologie<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/blog\/diamond-dicing-blades-for-semiconductor-wafers\/\">Diamant-W\u00fcrfelklingen<\/a>, Dicke, Breite, Ausr\u00fcstung und Klingenauswahl.<\/li>\n<li>Nutzen Sie strukturierte Pilotversuche und Inspektionen zur Validierung der Parameter.<\/li>\n<li>Dokumentieren Sie alle Klingen-Spezifikationen und Prozessgrenzen f\u00fcr eine wiederholbare und ertragreiche Fertigung.<\/li>\n<\/ul>\n<p>Dieses Whitepaper ist eine umfassende technische Referenz f\u00fcr Halbleiterhersteller, die die Leistung des Wafer-Dicing optimieren und die Fehlerquote bei der Auswahl der Klingen minimieren m\u00f6chten.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Accurate specification of dicing blades is a critical factor in semiconductor wafer singulation. 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