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<\/p>\nIn der globalen Planarisierungsphase der Waferherstellung ist das chemisch-mechanische Polieren (CMP) ein kritischer Prozess. Als zentrales Verbrauchsmaterial bestimmt der CMP-Polierschlamm direkt die wichtigsten Oberfl\u00e4chenkennzahlen des Wafers, wie z. B. Ebenheit und Fehlerquote, und wirkt sich somit auf die endg\u00fcltige Chipleistung und den Ertrag aus. Basierend auf den wichtigsten Vorteilen und Auswahlkriterien von CMP-Polierschl\u00e4mmen bietet Jizhi Electronics praktische Hinweise f\u00fcr Unternehmen der Halbleiterindustrie.<\/p>\n
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I. Vier Hauptmerkmale von CMP-Poliersuspensionen<\/strong><\/p>\n CMP-Polierschl\u00e4mme bestehen aus Komponenten wie Schleifmitteln, Oxidationsmitteln und Chelatbildnern, die ein Gleichgewicht zwischen \u201cchemischer Korrosion\u201d und \u201cmechanischem Schleifen\u201d erfordern. Seine Haupteigenschaften lassen sich wie folgt zusammenfassen:<\/p>\n Pr\u00e4zise und kontrollierbare chemisch-mechanische Synergie<\/strong> Geringe Defekte + hohe Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t<\/strong><\/p>\n Moderne Prozessknoten stellen extrem hohe Anforderungen an Wafer-Oberfl\u00e4chendefekte (Kratzer, R\u00fcckst\u00e4nde usw.). Polierslurry minimiert mechanische Besch\u00e4digungen und verbessert die Reinigungsf\u00e4higkeit von R\u00fcckst\u00e4nden durch den Einsatz weicher Schleifmittel (z. B. organisches Kieselsol) und die Optimierung von Tensidformeln, um sicherzustellen, dass die Oberfl\u00e4chenrauheit den Spezifikationen entspricht (Ra kann in der Feinpolierphase <0,1 nm betragen).<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Flexible Einstellung von Entfernungsrate und Selektivit\u00e4t<\/strong> Stabile Kompatibilit\u00e4t und Sicherheit<\/strong> II. Auswahl des richtigen Polierslurrys nach Prozessstufe<\/strong><\/p>\n Die verschiedenen Stufen der Waferbearbeitung stellen sehr unterschiedliche Anforderungen an die Poliersuspension. Gezielte Auswahl ist der Schl\u00fcssel:<\/p>\n Polieren von Siliziumsubstraten (grob + fein)<\/strong><\/p>\n Anforderungen:<\/strong>\u00a0Hohe Abtragsleistung beim Grobpolieren; geringe Rauheit und keine Besch\u00e4digung beim Feinpolieren.<\/p>\n<\/li>\n Empfohlene Typen:<\/strong>\u00a0Alkalischer SiO2-Schleifmittelschlamm zum Grobpolieren; weicher organischer Kieselsol-Schlamm zum Feinpolieren.<\/p>\n<\/li>\n Anwendungsszenarien:<\/strong>\u00a0Abschlie\u00dfendes Polieren von 8\/12-Zoll-Siliziumwafern als Grundlage f\u00fcr die anschlie\u00dfende Fotolithografie und D\u00fcnnschichtabscheidung.<\/p>\n<\/li>\n Polieren der dielektrischen Schicht (SiO2\/Si3N4)<\/strong><\/p>\n Anforderungen:<\/strong>\u00a0Hohe Abtragsleistung, geringe Defekte und hohe Selektivit\u00e4t im Vergleich zu Metallschichten.<\/p>\n<\/li>\n Empfohlene Typen:<\/strong>\u00a0Alkalischer kolloidaler SiO2-Polierschlamm; zum Polieren von Dielektrika mit niedrigem k-Wert sind Schl\u00e4mme mit Schleifmitteln geringer H\u00e4rte und einem schwach alkalischen System zu w\u00e4hlen.<\/p>\n<\/li>\n Anwendungsszenarien:<\/strong>\u00a0Planarisierung f\u00fcr Shallow Trench Isolation (STI) und Inter-Layer Dielectric (ILD).<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Polieren der Metallschicht (Cu\/W)<\/strong><\/p>\n Anforderungen:<\/strong>\u00a0Hohe Metallentfernungsrate, hohe Selektivit\u00e4t, geringe R\u00fcckst\u00e4nde.<\/p>\n<\/li>\n Empfohlene Typen:<\/strong>\u00a0Saurer SiO2-Schleifmittelschlamm zum Polieren von Cu; saurer Al2O3-Schleifmittelschlamm zum Polieren von W.<\/p>\n<\/li>\n Anwendungsszenarien:<\/strong>\u00a0Polieren von metallischen Verbindungsleitungen, Kontaktl\u00f6chern und Durchbr\u00fcchen.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Spezialpolieren f\u00fcr fortgeschrittene Knoten (7nm und darunter)<\/strong><\/p>\n Anforderungen:<\/strong>\u00a0Extrem niedrige Defekte, Ebenheit auf atomarer Ebene, Kompatibilit\u00e4t mit extrem d\u00fcnnen Schichten.<\/p>\n<\/li>\n Empfohlene Typen:<\/strong>\u00a0Atomlagen-Polierschl\u00e4mme, schleifmittelfreie Polierschl\u00e4mme.<\/p>\n<\/li>\n Anwendungsszenarien:<\/strong>\u00a0Polieren von kritischen Schichten f\u00fcr moderne Logikchips und 3D-NAND-Speicherchips.<\/p>\n<\/li>\n III. 3 Tipps f\u00fcr die Auswahl von Wafer-Poliersuspensionen<\/strong><\/p>\n Prozessknoten und Wafergr\u00f6\u00dfe anpassen:<\/strong>\u00a0F\u00fcr fortgeschrittene Knotenpunkte (z. B. 5 nm) sollten Sie hochreine Schl\u00e4mme mit feiner Partikelgr\u00f6\u00dfe w\u00e4hlen. Bei 12-Zoll-Wafern ist auf eine gleichm\u00e4\u00dfige Abdeckung zu achten, um Randeffekte zu vermeiden.<\/p>\n<\/li>\n Gleichgewicht zwischen Kosten und Lieferkette:<\/strong>\u00a0Kombinieren Sie bei der Massenproduktion flexibel kosteng\u00fcnstige inl\u00e4ndische Schl\u00e4mme f\u00fcr das Grobpolieren mit importierten oder hochwertigen inl\u00e4ndischen CMP-Schl\u00e4mmen f\u00fcr das Feinpolieren (die derzeitigen inl\u00e4ndischen Alternativen f\u00fcr Feinpolierschl\u00e4mme k\u00f6nnen mit internationalen Marken mithalten). Sorgen Sie au\u00dferdem f\u00fcr stabile Lieferkapazit\u00e4ten.<\/p>\n<\/li>\n Anpassungen f\u00fcr spezielle Prozesse:<\/strong>\u00a0F\u00fcr das Polieren von Halbleitern mit breiter Bandl\u00fccke, wie SiC\/GaN, arbeiten Sie mit Zulieferern zusammen, um kundenspezifische Formulierungen zu entwickeln (z. B. Diamantschleifslurry mit hoher H\u00e4rte f\u00fcr das SiC-Polieren).<\/p>\n<\/li>\n<\/ol>\n Als Unternehmen, das sich auf den Halbleiterbereich spezialisiert hat, ist sich Jizhi Electronics des kritischen Einflusses von CMP-Poliersuspensionen auf die Ausbeute bei der Waferherstellung bewusst. Dank unseres tiefen Einblicks in die Industrieprozesse k\u00f6nnen wir unseren Kunden ma\u00dfgeschneiderte Dienstleistungen anbieten, wie z. B. Beratung bei der Auswahl von Polierslurrys und Tests zur Prozessanpassung. Unser Ziel ist es, Halbleiterunternehmen dabei zu helfen, ihre Bed\u00fcrfnisse genau zu erf\u00fcllen, die Produktionseffizienz zu optimieren und auf dem Weg zu einer fortschrittlichen Fertigung stetig voranzukommen.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":" In the global planarization stage of wafer manufacturing, Chemical Mechanical Polishing (CMP) is a critical process. 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\nBeim Polieren oxidiert das Oxidationsmittel zun\u00e4chst das Oberfl\u00e4chenmaterial des Wafers in leicht entfernbare Oxide. Der Chelatbildner bildet dann l\u00f6sliche Komplexe mit diesen Oxiden, die anschlie\u00dfend durch abrasives Schleifen abgetragen werden. Eine hochwertige Polierfl\u00fcssigkeit sorgt f\u00fcr ein Gleichgewicht zwischen \u201cKorrosionsrate \u2248 Schleifrate\u201d und vermeidet so Probleme wie Oberfl\u00e4chengr\u00fcbchen oder eine geringe Abtragseffizienz.<\/p>\n<\/li>\n\n
\nVerschiedene Polierstufen haben unterschiedliche Anforderungen: Das Polieren von Siliziumsubstraten erfordert eine hohe Abtragsrate (um den Waferverzug schnell zu beseitigen), w\u00e4hrend das Polieren von Metall-\/Dielektrikumsschichten eine hohe Selektivit\u00e4t erfordert (z. B. Cu\/SiO2-Selektivit\u00e4t >10:1, um \u201cDishing\u201d zu vermeiden). Durch Anpassung der Oxidationsmittelkonzentration und des pH-Werts kann die Aufschl\u00e4mmung genau auf die verschiedenen Prozessanforderungen abgestimmt werden.<\/p>\n<\/li>\n
\nDie Aufschl\u00e4mmung erf\u00fcllt die Umweltanforderungen der Halbleiterindustrie, da sie frei von Schwermetallen und fl\u00fcchtigen organischen Verbindungen ist und wenig reizend wirkt. Au\u00dferdem weist er eine hervorragende Stabilit\u00e4t von Charge zu Charge auf (Abweichung der Abtragsrate zwischen den Chargen <5%), wodurch Ertragsschwankungen in der Massenproduktion aufgrund von Schwankungen bei den Verbrauchsmaterialien vermieden werden.<\/p>\n<\/li>\n<\/ol>\n\n
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