{"id":1279,"date":"2026-01-08T09:53:47","date_gmt":"2026-01-08T01:53:47","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?post_type=semiconductor&p=1279"},"modified":"2026-01-08T14:22:01","modified_gmt":"2026-01-08T06:22:01","slug":"oxide-slurry","status":"publish","type":"semiconductor","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/semiconductor\/oxide-slurry\/","title":{"rendered":"Oxidschlamm"},"content":{"rendered":"

Funktion der Oxid-Polierschl\u00e4mme<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Weit verbreitet f\u00fcr das CMP-Polieren von Oxidmaterialien, um eine pr\u00e4zise Oberfl\u00e4chenplanarisierung und Dickenkontrolle zu erreichen,
wie Siliziumoxidschichten auf Waferoberfl\u00e4chen oder Oxidschichten zwischen obersten Metallschichten und Siliziumoxid. Es eignet sich f\u00fcr das Oxidpolieren von 4-12 Zoll gro\u00dfen, mit Siliziumoxid beschichteten Wafern.<\/p>\n\n\n\n

Die Oxid-Slurry verwendet sorgf\u00e4ltig ausgew\u00e4hltes kolloidales SiO\u2082 mit gleichm\u00e4\u00dfiger Partikelgr\u00f6\u00dfe als Schleifmittel, das Polierergebnisse mit geringer Oberfl\u00e4chenrauheit und minimalen Partikelr\u00fcckst\u00e4nden erm\u00f6glicht.<\/p>\n\n\n\n

Durch Optimierung des Verd\u00fcnnungsverh\u00e4ltnisses w\u00e4hrend der Anwendung k\u00f6nnen die Kunden eine optimale Polierleistung erzielen. Im Vergleich zu \u00e4hnlichen Produkten im In- und Ausland zeichnet sich dieses Produkt durch einfache Reinigung und geringe Oberfl\u00e4chenrauhigkeit aus.<\/p>\n\n\n\n

Produktmerkmale<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

SiO2-Schleifmittel in Nanometerqualit\u00e4t mit gleichm\u00e4\u00dfiger und stabiler Partikelgr\u00f6\u00dfe, stabiler Abtragsrate und geringem Metallionengehalt. Durch das CMP-Verfahren wird die Oxidschicht auf der Oberfl\u00e4che effektiv entfernt und eine ideale Ebenheit erreicht.<\/p>\n\n\n\n

Im Vergleich zu \u00e4hnlichen Produkten im In- und Ausland zeichnet sich JIZHI Electronics Oxide Slurry durch einfache Reinigung und geringe Oberfl\u00e4chenrauhigkeit aus.<\/p>\n\n\n

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Vergleich der Selektivit\u00e4t<\/strong><\/h2>\n\n\n
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Eigenschaften von Oxidschl\u00e4mme Polierfl\u00fcssigkeit:<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

1. hohe Polierleistung
2.S und Oxidverh\u00e4ltnis von 1:1
3. geringer Gehalt an Metallpartikeln
(Der Gesamtmetallgehalt ist vergleichbar mit importierten Produkten)<\/p>\n\n\n\n

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Artikel<\/th>\n Parameter<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Maschine<\/td>\n Hwatsing<\/td>\n <\/tr>\n
Test-Wafer<\/td>\n 6 Stunden<\/td>\n <\/tr>\n
Material<\/td>\n Si-gef\u00fcllte PSG<\/td>\n <\/tr>\n
Ra (nm)<\/td>\n 0.26<\/td>\n <\/tr>\n
R.R (A\/min)<\/td>\n 5523<\/td>\n <\/tr>\n
Bereich (A)<\/td>\n 6%<\/td>\n <\/tr>\n
Dishing<\/td>\n -100 bis 200<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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Die Oberfl\u00e4chenrauhigkeit Ra nach CMP betr\u00e4gt 0,3 nm und liegt damit im Normbereich.<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

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