{"id":865,"date":"2025-12-10T17:39:04","date_gmt":"2025-12-10T09:39:04","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?post_type=semiconductor&p=865"},"modified":"2026-01-08T14:24:03","modified_gmt":"2026-01-08T06:24:03","slug":"silicon-carbide-substrate-grinding-and-polishing","status":"publish","type":"semiconductor","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/semiconductor\/silicon-carbide-substrate-grinding-and-polishing\/","title":{"rendered":"Schleifen und Polieren von Siliziumkarbid-Substraten"},"content":{"rendered":"

Produktmerkmale<\/strong><\/p>\n\n\n\n

JIZHI Electronics hat ein vierstufiges SiC-Polierverfahren entwickelt, bei dem verschiedene Qualit\u00e4ten von Schleifschl\u00e4mmen, Polierschl\u00e4mmen und Polierpads (Grobschleifpad, Feinschleifpad, Grobpolierpad und Endpolierpad) kombiniert werden. Dieses Verfahren verbessert die Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t von Siliziumkarbidsubstraten bei Schleif- und Polieranwendungen und erh\u00f6ht gleichzeitig die Materialabtragsrate erheblich.<\/p>\n\n\n\n

Verfahren und Anwendungen<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Geeignet f\u00fcr DMP- und CMP-Verfahren f\u00fcr SiC-Siliciumcarbid-Substrate, wodurch Effizienz und Ausbeute effektiv verbessert werden. Die Siliziumkarbid-Polierschl\u00e4mme und -Polierpads erm\u00f6glichen den Ersatz von importierten Produkten vor Ort (im Inland).<\/p>\n\n\n\n

Kurzer \u00dcberblick \u00fcber den Verarbeitungsprozess von Siliziumkarbid-Substraten<\/strong><\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Siliziumkarbid (SiC) Schleifprozess - Grobschleifen \/ Feinschleifen<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Stufe1<\/strong>
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobschleifverfahren<\/p>\n\n\n\n

\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Ausr\u00fcstung f\u00fcr die Verifizierung<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Wafer<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Polierschl\u00e4mme<\/td>\n JZ-8003<\/td>\n <\/tr>\n
Polierkissen<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Druck<\/td>\n 3 psi<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze<\/td>\n 25 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte<\/td>\n 10 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Durchsatz der G\u00fclle<\/td>\n 5L \/min<\/td>\n <\/tr>\n
Polierrate<\/td>\n 25-30um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n 1,22nm<\/td>\n <\/tr>\n
TTV (Total Thickness Variation)<\/td>\n <2<\/td>\n <\/tr>\n
Warp<\/td>\n <30<\/td>\n <\/tr>\n
Bogen<\/td>\n <10<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Grobschleifen - Verwendung mit L\u00e4ppkissen\n <\/th>\n <\/tr>\n
\n Abmessungen und Spezifikationen der L\u00e4ppscheibe\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modell<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Dicke<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Rillenmuster<\/td>\n Anpassbar<\/td>\n <\/tr>\n
H\u00e4rte<\/td>\n Shore A 85\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n
Verdichtungsverh\u00e4ltnis<\/td>\n 2.92<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Stufe2<\/strong>
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Feinschleifverfahren<\/p>\n\n\n\n

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\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Ausr\u00fcstung f\u00fcr die Verifizierung<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Wafer<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Polierschl\u00e4mme<\/td>\n JZ-8001<\/td>\n <\/tr>\n
Polierkissen<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Druck<\/td>\n 3 psi<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze<\/td>\n 25 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte<\/td>\n 10 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Durchsatz der G\u00fclle<\/td>\n 5L \/min<\/td>\n <\/tr>\n
Polierrate<\/td>\n 6,8 um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n 0,45nm<\/td>\n <\/tr>\n
TTV (Total Thickness Variation)<\/td>\n <2<\/td>\n <\/tr>\n
Warp<\/td>\n <30<\/td>\n <\/tr>\n
Bogen<\/td>\n <20<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n ine Schleifen - verwendet mit L\u00e4ppscheibe\n <\/th>\n <\/tr>\n
\n Abmessungen und Spezifikationen der L\u00e4ppscheibe\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modell<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Dicke<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Rillenmuster<\/td>\n Anpassbar<\/td>\n <\/tr>\n
H\u00e4rte<\/td>\n Shore A 85\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n
Verdichtungsverh\u00e4ltnis<\/td>\n 2.92<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

JIZHI Electronics\u2019 CMP Grob- und Feinschleifverfahren f\u00fcr SiC-Substrate<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Tipp 1 - Bei Verwendung einer groben Schleifsuspension mit einem L\u00e4ppkissen kann Ra 1,22 nm oder weniger erreichen.
Tipp 2 - Bei Verwendung einer feinen Schleifsuspension mit einem L\u00e4ppkissen kann Ra 0,45 nm oder weniger erreichen.<\/p>\n\n\n\n

Siliziumkarbid (SiC) Polierverfahren - Grobpolieren \/ Feinpolieren<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Stufe 3<\/strong>
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobpolierverfahren<\/p>\n\n\n\n

\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n CMP-Grobpolierverfahren f\u00fcr SiC-Substrate\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Ausr\u00fcstung f\u00fcr die Verifizierung<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Wafer<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Polierschl\u00e4mme<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n <\/tr>\n
Polierkissen<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Druck<\/td>\n 350g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit<\/td>\n 40 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Polierrate<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n 0,13nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
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\n Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modell<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Dicke<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Rillenmuster<\/td>\n Anpassbar<\/td>\n <\/tr>\n
H\u00e4rte<\/td>\n Shore A 85\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n
Verdichtungsverh\u00e4ltnis<\/td>\n 2.94<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Stufe4<\/strong>
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Endpolierverfahren<\/p>\n\n\n\n

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\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n CMP-Grobpolierverfahren f\u00fcr SiC-Substrate\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Ausr\u00fcstung f\u00fcr die Verifizierung<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Wafer<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Polierschl\u00e4mme<\/td>\n JZ-8020<\/td>\n <\/tr>\n
Polierkissen<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n
Druck<\/td>\n 300g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Rotationsgeschwindigkeit<\/td>\n 40 Umdrehungen pro Minute<\/td>\n <\/tr>\n
Polierrate<\/td>\n 0,25 um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n 0,06nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n
\n Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads\n <\/th>\n <\/tr>\n\n
Modell<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n\n
Dicke<\/td>\n 1,3 mm<\/td>\n <\/tr>\n\n
Rillenmuster<\/td>\n Anpassbar<\/td>\n <\/tr>\n\n
H\u00e4rte<\/td>\n Shore A 51\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n\n
Verdichtungsverh\u00e4ltnis<\/td>\n 10.77<\/td>\n <\/tr>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

JIZHI Electronics\u2019 CMP-Vor- und Endpolierverfahren f\u00fcr SiC-Substrate<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Tipp 3 - Bei der Verwendung von grobem Polierschlamm mit einem L\u00e4ppkissen kann Ra 0,13 nm oder weniger erreichen.
Tipp 4 - Mit einer Endpolierfl\u00fcssigkeit und einem Endpolierpad kann Ra 0,06 nm oder weniger erreichen.<\/p>\n\n\n\n

Empfohlene Produkte und Parameter f\u00fcr Siliziumkarbid-Schleif-\/Polierprozesse<\/strong><\/p>\n\n\n\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n
Verfahren<\/th>\n Empfohlene Produkte<\/th>\n Entfernungsrate<\/th>\n Qualit\u00e4t der Oberfl\u00e4che<\/th>\n <\/tr>\n
Polierschl\u00e4mme<\/th>\n Polierkissen<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Endpolitur<\/td>\n Schleifen \/ L\u00e4ppen<\/td>\n JZ-8003<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n 25-30um\/H<\/td>\n 1,22nm<\/td>\n <\/tr>\n
Endpolitur<\/td>\n JZ-8001<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n 6,8 um\/H<\/td>\n 0,45nm<\/td>\n <\/tr>\n\n
Polieren<\/td>\n Grobpolieren<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n 0,13nm<\/td>\n <\/tr>\n
Endpolitur<\/td>\n JZ-8020A
JZ-8020B<\/td>\n 		JZ-326<\/td>\n 0,25 um\/H<\/td>\n 0,06nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n

Lagerungsmethode f\u00fcr JIZHI Electronics SiC Siliziumkarbid-Polierschlamm<\/strong><\/p>\n\n\n\n

In einem gut bel\u00fcfteten, k\u00fchlen und trockenen Lagerhaus aufbewahren. Das Produkt muss bei 5-35 \u00b0C gelagert werden und vor direkter Sonneneinstrahlung und Frost gesch\u00fctzt werden. Bei Lagerung unter 0 \u00b0C kann es zu irreversibler Agglomeration kommen, wodurch das Produkt unbrauchbar wird.<\/p>\n\n\n\n

Preisgestaltung von JIZHI Electronics CMP \/ Slurry Polierfl\u00fcssigkeiten<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Die CMP-Metallpolierschl\u00e4mme von JIZHI Electronics werden mit fortschrittlichen Produktionstechnologien und -anlagen in \u00dcbersee hergestellt und mit speziellen chemischen Zusammensetzungen formuliert. Die Qualit\u00e4t der Polierschl\u00e4mme von JIZHI Electronics ist vergleichbar mit der von \u00e4hnlichen importierten Produkten.<\/p>\n\n\n\n

Dank der lokalen Produktion bieten die CMP-Slurries von JIZHI Electronics kurze Lieferzeiten, eine stabile, hohe Qualit\u00e4t und wettbewerbsf\u00e4hige, kosteng\u00fcnstige Preise.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Product Features JIZHI Electronics has developed a four-step SiC polishing process that combines different grades of grinding slurries, polishing slurries, and polishing pads (coarse grinding pad, fine grinding pad, rough …<\/p>","protected":false},"featured_media":1295,"template":"","categories":[],"tags":[],"semicategories":[50],"class_list":["post-865","semiconductor","type-semiconductor","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","semicategories-polishing_slurry"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/semiconductor\/865","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/semiconductor"}],"about":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/semiconductor"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1295"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=865"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=865"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=865"},{"taxonomy":"semicategories","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/semicategories?post=865"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}