![\"\"](\"https:\/\/jeez-semicon.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/11-6.png\")
<\/p>\nEn la fase de planarizaci\u00f3n global de la fabricaci\u00f3n de obleas, el pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP) es un proceso cr\u00edtico. Como consumible principal, la lechada de pulido CMP determina directamente las m\u00e9tricas clave de la superficie de la oblea, como la planitud y la tasa de defectos, lo que repercute en el rendimiento y el rendimiento final del chip. Bas\u00e1ndose en las principales ventajas y criterios de selecci\u00f3n de las lechadas de pulido CMP, Jizhi Electronics ofrece una referencia pr\u00e1ctica para las empresas de fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n
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I. Cuatro caracter\u00edsticas fundamentales del lodo de pulido CMP<\/strong><\/p>\n La lechada de pulido CMP se formula a partir de componentes como abrasivos, oxidantes y agentes quelantes, lo que requiere un equilibrio entre la \u201ccorrosi\u00f3n qu\u00edmica\u201d y el \u201cpulido mec\u00e1nico\u201d. Sus caracter\u00edsticas principales pueden resumirse como sigue:<\/p>\n Sinergia qu\u00edmico-mec\u00e1nica precisa y controlable<\/strong> Bajos defectos + Alta calidad superficial<\/strong><\/p>\n Los nodos de proceso avanzados imponen requisitos extremadamente exigentes a los defectos de la superficie de las obleas (ara\u00f1azos, residuos, etc.). La lechada de pulido minimiza los da\u00f1os mec\u00e1nicos y mejora la capacidad de limpieza de los residuos empleando abrasivos suaves (por ejemplo, sol de s\u00edlice org\u00e1nico) y optimizando las f\u00f3rmulas de los tensioactivos, lo que garantiza que la rugosidad de la superficie cumpla las especificaciones (Ra puede ser <0,1 nm en la fase de pulido fino).<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Ajuste flexible de la tasa de eliminaci\u00f3n y la selectividad<\/strong> Compatibilidad y garant\u00eda de estabilidad<\/strong> II. Selecci\u00f3n de la pasta de pulido adecuada para cada fase del proceso<\/strong><\/p>\n Las distintas fases de procesamiento de las obleas tienen requisitos muy diferentes en cuanto a los lodos de pulido. La selecci\u00f3n espec\u00edfica es clave:<\/p>\n Pulido de sustratos de silicona (basto + fino)<\/strong><\/p>\n Requisitos:<\/strong>\u00a0Alta velocidad de eliminaci\u00f3n para el pulido basto; baja rugosidad y ausencia de da\u00f1os para el pulido fino.<\/p>\n<\/li>\n Tipos recomendados:<\/strong>\u00a0Lechada abrasiva alcalina de SiO2 para pulido basto; lechada de sol de s\u00edlice org\u00e1nica blanda para pulido fino.<\/p>\n<\/li>\n Escenarios de aplicaci\u00f3n:<\/strong>\u00a0Pulido final de obleas de silicio de 8\/12 pulgadas, que sienta las bases para la posterior fotolitograf\u00eda y deposici\u00f3n de pel\u00edculas finas.<\/p>\n<\/li>\n Pulido de la capa diel\u00e9ctrica (SiO2\/Si3N4)<\/strong><\/p>\n Requisitos:<\/strong>\u00a0Alta tasa de eliminaci\u00f3n, bajos defectos y alta selectividad en relaci\u00f3n con las capas met\u00e1licas.<\/p>\n<\/li>\n Tipos recomendados:<\/strong>\u00a0Lechada de pulido alcalina de SiO2 coloidal; para el pulido diel\u00e9ctrico de bajo k, elegir lechadas con abrasivos de baja dureza y un sistema d\u00e9bilmente alcalino.<\/p>\n<\/li>\n Escenarios de aplicaci\u00f3n:<\/strong>\u00a0Planarizaci\u00f3n para el aislamiento de trincheras poco profundas (STI) y diel\u00e9ctrico entre capas (ILD).<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Pulido de la capa met\u00e1lica (Cu\/W)<\/strong><\/p>\n Requisitos:<\/strong>\u00a0Alta tasa de eliminaci\u00f3n de metales, alta selectividad, bajo residuo.<\/p>\n<\/li>\n Tipos recomendados:<\/strong>\u00a0Lechada abrasiva SiO2 \u00e1cida para el pulido de Cu; lechada abrasiva Al2O3 \u00e1cida para el pulido de W.<\/p>\n<\/li>\n Escenarios de aplicaci\u00f3n:<\/strong>\u00a0Pulido de l\u00edneas de interconexi\u00f3n met\u00e1licas, orificios\/v\u00edas de contacto.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n Pulido especial para nodos avanzados (7 nm e inferiores)<\/strong><\/p>\n Requisitos:<\/strong>\u00a0Defectos ultrabajos, planitud a nivel at\u00f3mico, compatibilidad con pel\u00edculas extremadamente finas.<\/p>\n<\/li>\n Tipos recomendados:<\/strong>\u00a0Lechada de pulido de capa at\u00f3mica, lechada de pulido sin abrasivos.<\/p>\n<\/li>\n Escenarios de aplicaci\u00f3n:<\/strong>\u00a0Pulido de capas cr\u00edticas para chips l\u00f3gicos avanzados y chips de memoria NAND 3D.<\/p>\n<\/li>\n III. 3 consejos para la selecci\u00f3n de la pasta de pulido de obleas<\/strong><\/p>\n Haga coincidir el nodo de proceso y el tama\u00f1o de la oblea:<\/strong>\u00a0Para nodos avanzados (por ejemplo, 5 nm), elija lechadas de gran pureza y tama\u00f1o de part\u00edcula fino. Para obleas de 12 pulgadas, preste atenci\u00f3n a una cobertura uniforme para evitar efectos en los bordes.<\/p>\n<\/li>\n Equilibrar costes y cadena de suministro:<\/strong>\u00a0Para la producci\u00f3n en serie, combinar de forma flexible lodos nacionales rentables para el pulido basto con lodos CMP nacionales importados o de gama alta para el pulido fino (las alternativas nacionales actuales para lodos de pulido fino rinden al mismo nivel que las marcas internacionales). Adem\u00e1s, hay que garantizar una capacidad de suministro estable.<\/p>\n<\/li>\n Personalizaci\u00f3n para procesos especiales:<\/strong>\u00a0Para pulir semiconductores de banda ancha como SiC\/GaN, colabore con los proveedores para obtener formulaciones personalizadas (por ejemplo, pasta abrasiva de diamante de gran dureza para pulir SiC).<\/p>\n<\/li>\n<\/ol>\n Como empresa centrada en el campo de los semiconductores, Jizhi Electronics comprende profundamente el impacto cr\u00edtico de la lechada de pulido CMP en el rendimiento de la fabricaci\u00f3n de obleas. Aprovechando nuestro profundo conocimiento de los procesos de la industria, podemos ofrecer a los clientes servicios personalizados, como la consulta de selecci\u00f3n de lechada de pulido y pruebas de adaptaci\u00f3n de procesos. Nuestro objetivo es ayudar a las empresas de semiconductores a ajustarse con precisi\u00f3n a sus necesidades, optimizar la eficiencia de la producci\u00f3n y avanzar con paso firme por la senda de la fabricaci\u00f3n avanzada.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":" In the global planarization stage of wafer manufacturing, Chemical Mechanical Polishing (CMP) is a critical process. 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\nDurante el pulido, el oxidante primero oxida el material de la superficie de la oblea en \u00f3xidos f\u00e1cilmente eliminables. A continuaci\u00f3n, el agente quelante forma complejos solubles con estos \u00f3xidos, que posteriormente se eliminan mediante el esmerilado abrasivo. Los lodos de pulido de alta calidad alcanzan un equilibrio en el que la \u201cvelocidad de corrosi\u00f3n \u2248 velocidad de esmerilado\u201d evita problemas como la formaci\u00f3n de hoyuelos en la superficie o una baja eficacia de eliminaci\u00f3n.<\/p>\n<\/li>\n\n
\nLas distintas etapas de pulido tienen necesidades diferentes: el pulido de sustratos de silicio requiere una alta tasa de eliminaci\u00f3n (para eliminar r\u00e1pidamente el alabeo de las obleas), mientras que el pulido de capas met\u00e1licas\/diel\u00e9ctricas requiere una alta selectividad (por ejemplo, selectividad Cu\/SiO2 >10:1 para evitar el \u201cdishing\u201d). Ajustando la concentraci\u00f3n de oxidante y el valor de pH, la lechada puede adaptarse con precisi\u00f3n a los distintos requisitos del proceso.<\/p>\n<\/li>\n
\nEl lodo cumple los requisitos medioambientales de la industria de semiconductores, ya que no contiene metales pesados ni compuestos org\u00e1nicos vol\u00e1tiles y es poco irritante. Tambi\u00e9n posee una excelente estabilidad entre lotes (desviaci\u00f3n de la tasa de eliminaci\u00f3n entre lotes <5%), lo que evita las fluctuaciones de rendimiento en la producci\u00f3n en masa debidas a la variabilidad de los consumibles.<\/p>\n<\/li>\n<\/ol>\n\n
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