{"id":1279,"date":"2026-01-08T09:53:47","date_gmt":"2026-01-08T01:53:47","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?post_type=semiconductor&p=1279"},"modified":"2026-01-08T14:22:01","modified_gmt":"2026-01-08T06:22:01","slug":"oxide-slurry","status":"publish","type":"semiconductor","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/semiconductor\/oxide-slurry\/","title":{"rendered":"Lodos de \u00f3xido"},"content":{"rendered":"

Funci\u00f3n de los lodos de pulido de \u00f3xido<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Ampliamente utilizado para el pulido CMP de materiales de \u00f3xido para lograr una planarizaci\u00f3n precisa de la superficie y el control del espesor,
como capas de \u00f3xido de silicio en las superficies de las obleas o capas de \u00f3xido entre las capas met\u00e1licas superiores y el \u00f3xido de silicio. Es adecuado para el pulido de \u00f3xido de obleas recubiertas de \u00f3xido de silicio de 4-12 pulgadas.<\/p>\n\n\n\n

La barbotina de \u00f3xido utiliza s\u00edlice coloidal SiO\u2082 cuidadosamente seleccionada con un tama\u00f1o de part\u00edcula uniforme como abrasivo, lo que permite obtener resultados de pulido con una baja rugosidad superficial y un m\u00ednimo residuo de part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n

Optimizando la proporci\u00f3n de diluci\u00f3n durante el uso, los clientes pueden conseguir un rendimiento de pulido \u00f3ptimo. En comparaci\u00f3n con productos similares nacionales e internacionales, este producto se caracteriza por su f\u00e1cil limpieza y baja rugosidad superficial.<\/p>\n\n\n\n

Caracter\u00edsticas del producto<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Abrasivos SiO2 de grado nanom\u00e9trico con tama\u00f1o de part\u00edcula uniforme y estable, tasa de eliminaci\u00f3n estable y bajo contenido en iones met\u00e1licos. Mediante el proceso CMP, elimina eficazmente la capa de \u00f3xido superficial, logrando una planitud ideal.<\/p>\n\n\n\n

En comparaci\u00f3n con otros productos similares tanto nacionales como internacionales, JIZHI Electronics Oxide Slurry se caracteriza por su f\u00e1cil limpieza y su baja rugosidad superficial.<\/p>\n\n\n

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Comparaci\u00f3n de selectividad<\/strong><\/h2>\n\n\n
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Caracter\u00edsticas del l\u00edquido de pulido de lechada de \u00f3xido:<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

1.Alto \u00edndice de pulido
2.S y selecci\u00f3n de la proporci\u00f3n de \u00f3xido de 1:1
3.Bajo contenido en part\u00edculas met\u00e1licas
(El contenido total de metal es comparable al de los productos importados)<\/p>\n\n\n\n

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Art\u00edculo<\/th>\n Par\u00e1metros<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
M\u00e1quina<\/td>\n Hwatsing<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea de prueba<\/td>\n 6 horas<\/td>\n <\/tr>\n
Material<\/td>\n PSG relleno de Si<\/td>\n <\/tr>\n
Ra (nm)<\/td>\n 0.26<\/td>\n <\/tr>\n
R.R (A\/min)<\/td>\n 5523<\/td>\n <\/tr>\n
Alcance (A)<\/td>\n 6%<\/td>\n <\/tr>\n
Dishing<\/td>\n -100 a 200<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n\n

La rugosidad superficial Ra despu\u00e9s de CMP es de 0,3 nm, que est\u00e1 dentro del rango est\u00e1ndar.<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

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