{"id":1905,"date":"2026-04-22T13:24:46","date_gmt":"2026-04-22T05:24:46","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?post_type=semiconductor&p=1905"},"modified":"2026-04-22T13:47:16","modified_gmt":"2026-04-22T05:47:16","slug":"silicon-carbide-substrate-polishing","status":"publish","type":"semiconductor","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/semiconductor\/silicon-carbide-substrate-polishing\/","title":{"rendered":"Silicon Carbide Substrate Polishing"},"content":{"rendered":"

Caracter\u00edsticas del producto<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of polishing slurries and polishing pads (rough grinding pad \/ fine grinding pad \/ rough polishing pad \/ fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during polishing while significantly increasing the material removal rate.<\/p>\n\n\n\n

Proceso y aplicaciones<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Adecuado para flujos de proceso DMP y CMP de sustratos de carburo de silicio SiC, mejorando eficazmente la eficiencia y el rendimiento. Los lodos de pulido de carburo de silicio y las almohadillas de pulido permiten la sustituci\u00f3n localizada (nacional) de productos importados.<\/p>\n\n\n\n

Breve descripci\u00f3n del flujo de procesamiento del sustrato de carburo de silicio<\/strong><\/h2>\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n\n

Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) - Pulido basto \/ Pulido fino<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Paso 3<\/strong>
Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

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\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n double-sided36B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 350 g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n<\/td>\n 40 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 0,13 nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
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\n Dimensiones y especificaciones del disco de pulir\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Espesor<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n
Dureza<\/td>\n Shore A 85<\/td>\n <\/tr>\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 2.94<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Paso 4<\/strong>
Proceso de pulido final del carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

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\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n double-sided36B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8020<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 300 g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n<\/td>\n 40 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 0,25um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 0,06 nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n
\n Dimensiones y especificaciones del disco de pulir\n <\/th>\n <\/tr>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n\n
Espesor<\/td>\n 1,3 mm<\/td>\n <\/tr>\n\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n\n
Dureza<\/td>\n Shore A 51\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 10.77<\/td>\n <\/tr>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Proceso de desbaste y pulido final CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Consejo 3 - Utilizando una pasta de pulido rugosa con una almohadilla de lapeado, la Ra puede alcanzar 0,13 nm o menos.
Consejo 4 - Utilizando una pasta de pulido final con una almohadilla de pulido final, Ra puede alcanzar 0,06 nm o menos.<\/p>\n\n\n\n

Productos y par\u00e1metros recomendados para procesos de esmerilado y pulido de carburo de silicio<\/strong><\/h2>\n\n\n\n\n \n \n \n \n \n \n
M\u00e9todo de tratamiento<\/th>\n Productos recomendados<\/th>\n Tasa de eliminaci\u00f3n<\/th>\n Calidad de la superficie<\/th>\n <\/tr>\n \n \n
<\/th>\n Lodos de pulido<\/th>\n Almohadilla pulidora<\/th>\n <\/tr>\n \n \n
Pulido<\/td>\n Pulido basto<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n 0,13 nm<\/td>\n <\/tr>\n \n \n
Pulido final<\/td>\n JZ-8020A
JZ-8020B<\/td>\n 		JZ-326<\/td>\n 0,25um\/H<\/td>\n 0,06 nm<\/td>\n <\/tr>\n \n <\/table>\n\n\n\n

M\u00e9todo de almacenamiento de la pasta de pulido de carburo de silicio SiC de JIZHI Electronics<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Almacenar en un almac\u00e9n bien ventilado, fresco y seco. El producto debe almacenarse a 5-35 \u00b0C, protegido de la luz solar directa y de la congelaci\u00f3n. Si se almacena por debajo de 0 \u00b0C, puede producirse una aglomeraci\u00f3n irreversible que inutilice el producto.<\/p>\n\n\n\n

Precios de JIZHI Electronics CMP \/ Slurry Polishing Liquids<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Los lodos de pulido de metales CMP de JIZHI Electronics se fabrican utilizando tecnolog\u00edas y equipos de producci\u00f3n extranjeros avanzados y se formulan con composiciones qu\u00edmicas especializadas. La calidad de los lodos de pulido de JIZHI Electronics es comparable a la de productos importados similares.<\/p>\n\n\n\n

Gracias a la producci\u00f3n localizada, los lodos CMP de JIZHI Electronics ofrecen plazos de entrega cortos, una alta calidad estable y precios competitivos y rentables.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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