{"id":865,"date":"2025-12-10T17:39:04","date_gmt":"2025-12-10T09:39:04","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?post_type=semiconductor&p=865"},"modified":"2026-01-08T14:24:03","modified_gmt":"2026-01-08T06:24:03","slug":"silicon-carbide-substrate-grinding-and-polishing","status":"publish","type":"semiconductor","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/semiconductor\/silicon-carbide-substrate-grinding-and-polishing\/","title":{"rendered":"Rectificado y pulido de sustratos de carburo de silicio"},"content":{"rendered":"

Caracter\u00edsticas del producto<\/strong><\/p>\n\n\n\n

JIZHI Electronics ha desarrollado un proceso de pulido de carburo de silicio en cuatro pasos que combina diferentes grados de lodos de esmerilado, lodos de pulido y almohadillas de pulido (almohadilla de esmerilado grueso, almohadilla de esmerilado fino, almohadilla de pulido \u00e1spero y almohadilla de pulido final). Este proceso mejora la calidad de la superficie de los sustratos de carburo de silicio en aplicaciones de esmerilado y pulido, al tiempo que aumenta significativamente la tasa de eliminaci\u00f3n de material.<\/p>\n\n\n\n

Proceso y aplicaciones<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Adecuado para flujos de proceso DMP y CMP de sustratos de carburo de silicio SiC, mejorando eficazmente la eficiencia y el rendimiento. Los lodos de pulido de carburo de silicio y las almohadillas de pulido permiten la sustituci\u00f3n localizada (nacional) de productos importados.<\/p>\n\n\n\n

Breve descripci\u00f3n del flujo de procesamiento del sustrato de carburo de silicio<\/strong><\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Proceso de rectificado del carburo de silicio (SiC) - Rectificado basto \/ Rectificado fino<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Paso 1<\/strong>
Proceso de rectificado de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8003<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 3 psi<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n del plato superior<\/td>\n 25 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n de la platina inferior<\/td>\n 10 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Caudal de lodo<\/td>\n 5L \/min<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 25-30um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 1,22 nm<\/td>\n <\/tr>\n
TTV (variaci\u00f3n total del grosor)<\/td>\n <2<\/td>\n <\/tr>\n
Warp<\/td>\n <30<\/td>\n <\/tr>\n
Arco<\/td>\n <10<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Rectificado basto - Se utiliza con la almohadilla de lapeado\n <\/th>\n <\/tr>\n
\n Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Espesor<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n
Dureza<\/td>\n Shore A 85<\/td>\n <\/tr>\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 2.92<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Paso 2<\/strong>
Proceso de molienda fina de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8001<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 3 psi<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n del plato superior<\/td>\n 25 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n de la platina inferior<\/td>\n 10 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Caudal de lodo<\/td>\n 5L \/min<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 6,8um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 0,45 nm<\/td>\n <\/tr>\n
TTV (variaci\u00f3n total del grosor)<\/td>\n <2<\/td>\n <\/tr>\n
Warp<\/td>\n <30<\/td>\n <\/tr>\n
Arco<\/td>\n <20<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n ine Grinding - Se utiliza con la almohadilla de lapeado\n <\/th>\n <\/tr>\n
\n Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n <\/tr>\n
Espesor<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n
Dureza<\/td>\n Shore A 85<\/td>\n <\/tr>\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 2.92<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Proceso de esmerilado fino y basto CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Consejo 1 - Utilizando lodo de rectificado basto con una almohadilla de lapeado, Ra puede alcanzar 1,22 nm o menos.
Consejo 2 - Utilizando una pasta de esmerilado fina con una almohadilla de lapeado, el Ra puede alcanzar 0,45 nm o menos.<\/p>\n\n\n\n

Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) - Pulido basto \/ Pulido fino<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Paso 3<\/strong>
Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 350 g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n<\/td>\n 40 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 0,13 nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Dimensiones y especificaciones del disco de pulir\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n <\/tr>\n
Espesor<\/td>\n 1,4 mm<\/td>\n <\/tr>\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n
Dureza<\/td>\n Shore A 85<\/td>\n <\/tr>\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 2.94<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Paso 4<\/strong>
Proceso de pulido final del carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics<\/p>\n\n\n\n

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\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n \n
\n Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC\n <\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n
Equipo de verificaci\u00f3n<\/td>\n \u53cc\u976236B<\/td>\n <\/tr>\n
Oblea<\/td>\n 6\u2033SiC<\/td>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/td>\n JZ-8020<\/td>\n <\/tr>\n
Almohadilla pulidora<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n
Presi\u00f3n<\/td>\n 300 g\/cm2<\/td>\n <\/tr>\n
Velocidad de rotaci\u00f3n<\/td>\n 40 rpm<\/td>\n <\/tr>\n
Tasa de pulido<\/td>\n 0,25um\/H<\/td>\n <\/tr>\n
Rugosidad superficial<\/td>\n 0,06 nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n
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\"\"<\/figure>\n<\/div><\/div>\n\n\n\n
\n\n \n \n \n \n \n \n
\n Dimensiones y especificaciones del disco de pulir\n <\/th>\n <\/tr>\n\n
Modelo<\/td>\n JZ-326<\/td>\n <\/tr>\n\n
Espesor<\/td>\n 1,3 mm<\/td>\n <\/tr>\n\n
Patr\u00f3n de ranuras<\/td>\n Personalizable<\/td>\n <\/tr>\n\n
Dureza<\/td>\n Shore A 51\u00b0<\/td>\n <\/tr>\n\n
Relaci\u00f3n de compresi\u00f3n<\/td>\n 10.77<\/td>\n <\/tr>\n<\/table>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Proceso de desbaste y pulido final CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Consejo 3 - Utilizando una pasta de pulido rugosa con una almohadilla de lapeado, la Ra puede alcanzar 0,13 nm o menos.
Consejo 4 - Utilizando una pasta de pulido final con una almohadilla de pulido final, Ra puede alcanzar 0,06 nm o menos.<\/p>\n\n\n\n

Productos y par\u00e1metros recomendados para procesos de esmerilado y pulido de carburo de silicio<\/strong><\/p>\n\n\n\n\n \n \n \n \n \n \n \n \n
M\u00e9todo de tratamiento<\/th>\n Productos recomendados<\/th>\n Tasa de eliminaci\u00f3n<\/th>\n Calidad de la superficie<\/th>\n <\/tr>\n
Lodos de pulido<\/th>\n Almohadilla pulidora<\/th>\n <\/tr>\n <\/thead>\n\n
Pulido final<\/td>\n Rectificado \/ lapeado<\/td>\n JZ-8003<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n 25-30um\/H<\/td>\n 1,22 nm<\/td>\n <\/tr>\n
Pulido final<\/td>\n JZ-8001<\/td>\n JZ-1020<\/td>\n 6,8um\/H<\/td>\n 0,45 nm<\/td>\n <\/tr>\n\n
Pulido<\/td>\n Pulido basto<\/td>\n JZ-8010<\/td>\n JZ-3020<\/td>\n 2,5um\/H<\/td>\n 0,13 nm<\/td>\n <\/tr>\n
Pulido final<\/td>\n JZ-8020A
JZ-8020B<\/td>\n 		JZ-326<\/td>\n 0,25um\/H<\/td>\n 0,06 nm<\/td>\n <\/tr>\n <\/tbody>\n<\/table>\n\n\n\n

M\u00e9todo de almacenamiento de la pasta de pulido de carburo de silicio SiC de JIZHI Electronics<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Almacenar en un almac\u00e9n bien ventilado, fresco y seco. El producto debe almacenarse a 5-35 \u00b0C, protegido de la luz solar directa y de la congelaci\u00f3n. Si se almacena por debajo de 0 \u00b0C, puede producirse una aglomeraci\u00f3n irreversible que inutilice el producto.<\/p>\n\n\n\n

Precios de JIZHI Electronics CMP \/ Slurry Polishing Liquids<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Los lodos de pulido de metales CMP de JIZHI Electronics se fabrican utilizando tecnolog\u00edas y equipos de producci\u00f3n extranjeros avanzados y se formulan con composiciones qu\u00edmicas especializadas. La calidad de los lodos de pulido de JIZHI Electronics es comparable a la de productos importados similares.<\/p>\n\n\n\n

Gracias a la producci\u00f3n localizada, los lodos CMP de JIZHI Electronics ofrecen plazos de entrega cortos, una alta calidad estable y precios competitivos y rentables.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Product Features JIZHI Electronics has developed a four-step SiC polishing process that combines different grades of grinding slurries, polishing slurries, and polishing pads (coarse grinding pad, fine grinding pad, rough …<\/p>","protected":false},"featured_media":1295,"template":"","categories":[],"tags":[],"semicategories":[50],"class_list":["post-865","semiconductor","type-semiconductor","status-publish","has-post-thumbnail","hentry","semicategories-polishing_slurry"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/semiconductor\/865","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/semiconductor"}],"about":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/semiconductor"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1295"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=865"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=865"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=865"},{"taxonomy":"semicategories","embeddable":true,"href":"https:\/\/jeez-semicon.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/semicategories?post=865"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}