{"id":1373,"date":"2026-01-28T10:14:56","date_gmt":"2026-01-28T02:14:56","guid":{"rendered":"https:\/\/jeez-semicon.com\/?p=1373"},"modified":"2026-01-28T10:27:21","modified_gmt":"2026-01-28T02:27:21","slug":"dicing-blade-specifications-for-wafer-dicing-applications","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/dicing-blade-specifications-for-wafer-dicing-applications\/","title":{"rendered":"Sp\u00e9cifications des lames de d\u00e9coupe pour les applications de d\u00e9coupe de plaquettes"},"content":{"rendered":"<p>La sp\u00e9cification pr\u00e9cise des lames de d\u00e9coupe est un facteur critique dans la singularisation des plaquettes de semi-conducteurs. Au-del\u00e0 de l'\u00e9paisseur et de la largeur nominales, l'interaction entre les grains de diamant, la concentration, le type de liant, les limites de l'\u00e9quipement et le mat\u00e9riau de la plaquette d\u00e9finit la coh\u00e9rence du trait de scie, la qualit\u00e9 du bord, la r\u00e9sistance de la matrice et le rendement global. Une compr\u00e9hension de l'ing\u00e9nierie au niveau du syst\u00e8me est n\u00e9cessaire pour \u00e9viter les pi\u00e8ges courants et obtenir un d\u00e9coupage de haute performance.<\/p>\n<p>Ce livre blanc regroupe des informations techniques provenant de <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/wafer-dicing-blades-for-semiconductor-applications\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Lames de d\u00e9coupe de plaquettes<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/diamond-dicing-blades-for-wafer-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Lames de d\u00e9coupe en diamant<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/dicing-saw-blade-thickness-for-wafer-cutting\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">\u00c9paisseur de la lame<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/dicing-saw-blade-width-in-semiconductor-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Largeur de la lame<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/wafer-dicing-blades-for-dicing-equipment\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Compatibilit\u00e9 des \u00e9quipements<\/a>, et <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/how-to-choose-the-right-dicing-blades\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">S\u00e9lection des lames<\/a> afin de fournir une r\u00e9f\u00e9rence compl\u00e8te aux ing\u00e9nieurs.<\/p>\n<h2>Table des mati\u00e8res<\/h2>\n<ul>\n<li><a href=\"#core-parameters\">Param\u00e8tres des lames de d\u00e9coupe du noyau et analyse technique<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#dynamic-effects\">Effets dynamiques et modes de d\u00e9faillance<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#custom-solutions\">Sp\u00e9cifications des lames avanc\u00e9es et personnalis\u00e9es<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#optimization-strategies\">Strat\u00e9gies d'optimisation des param\u00e8tres<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#common-mistakes\">Erreurs de s\u00e9lection courantes et mesures d'att\u00e9nuation<\/a><\/li>\n<li><a href=\"#conclusion\">R\u00e9sum\u00e9 et consid\u00e9rations au niveau du syst\u00e8me<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<h2 id=\"core-parameters\">Param\u00e8tres des lames de d\u00e9coupe du noyau et analyse technique<\/h2>\n<h3>1. \u00c9paisseur de la lame<\/h3>\n<p>L'\u00e9paisseur de la lame d\u00e9termine la rigidit\u00e9 de la structure et la perte de trait de scie. Des lames plus fines r\u00e9duisent la largeur de la ligne de coupe, ce qui augmente le nombre d'outils et r\u00e9duit les d\u00e9chets de mat\u00e9riaux, mais elles augmentent \u00e9galement la sensibilit\u00e9 aux vibrations, aux battements et \u00e0 la marche.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>\u00c9paisseur (\u03bcm)<\/th>\n<th>Niveau de stabilit\u00e9<\/th>\n<th>Largeur de la fente (\u03bcm)<\/th>\n<th>Vitesse de rotation maximale<\/th>\n<th>Mat\u00e9riau recommand\u00e9<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>15-25<\/td>\n<td>Faible<\/td>\n<td>18-28<\/td>\n<td>20,000-30,000<\/td>\n<td>Si, fili\u00e8re mince<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>30-50<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<td>32-52<\/td>\n<td>25,000-40,000<\/td>\n<td>Si, fili\u00e8re standard, GaAs<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-80<\/td>\n<td>Haut<\/td>\n<td>55-85<\/td>\n<td>20,000-35,000<\/td>\n<td>SiC, GaN, dispositifs de puissance \u00e9pais<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Note technique : le choix de l'\u00e9paisseur de la lame doit tenir compte des \u00e9l\u00e9ments suivants <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/wafer-dicing-blades-for-dicing-equipment\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">rigidit\u00e9 de la broche de l'\u00e9quipement<\/a> et la vitesse d'avance. Les lames plus fines n\u00e9cessitent une vitesse de rotation plus faible ou des broches plus rigides pour \u00e9viter la d\u00e9formation.<\/p>\n<h3>2. Largeur de la lame<\/h3>\n<p>La largeur de la lame d\u00e9finit l'enveloppe lat\u00e9rale de la coupe. Elle affecte directement l'uniformit\u00e9 du trait de scie, la qualit\u00e9 des ar\u00eates et la stabilit\u00e9 de la marche. Les lames plus larges amplifient le battement radial et les effets des vibrations, tandis que les lames plus \u00e9troites sont moins tol\u00e9rantes aux imperfections de l'\u00e9quipement.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Largeur (\u03bcm)<\/th>\n<th>Application<\/th>\n<th>Variation du karf<\/th>\n<th>Risque d'\u00e9caillage des bords<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>20-30<\/td>\n<td>Fili\u00e8re \u00e0 pas fin, silicium<\/td>\n<td>Faible<\/td>\n<td>Faible<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>35-50<\/td>\n<td>Pas moyen, GaAs<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-80<\/td>\n<td>Plaques compos\u00e9es dures (SiC\/GaN)<\/td>\n<td>Haut<\/td>\n<td>Haut<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Voir <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/dicing-saw-blade-width-in-semiconductor-dicing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Largeur de la lame<\/a> pour une analyse d\u00e9taill\u00e9e de la consistance du trait de scie et du contr\u00f4le de la marche.<\/p>\n<h3>3. Taille et concentration des grains de diamant<\/h3>\n<p>La granulom\u00e9trie et la concentration du diamant d\u00e9terminent l'efficacit\u00e9 de la coupe, la finition des ar\u00eates et la dur\u00e9e de vie de la lame. Les grains les plus fins r\u00e9duisent les micro-\u00e9cailles mais augmentent la force de coupe par unit\u00e9 de surface, tandis que les grains les plus grossiers r\u00e9duisent la r\u00e9sistance \u00e0 la coupe mais peuvent g\u00e9n\u00e9rer des bords rugueux.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Granulom\u00e9trie (#)<\/th>\n<th>Concentration (%)<\/th>\n<th>Application<\/th>\n<th>Qualit\u00e9 des bords<\/th>\n<th>La vie en lame<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>800-1200<\/td>\n<td>70-100<\/td>\n<td>SiC, GaN<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<td>Longues<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>1500-2000<\/td>\n<td>50-80<\/td>\n<td>GaAs, silicium standard<\/td>\n<td>Haut<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>2500-4000<\/td>\n<td>40-70<\/td>\n<td>Silicium mince, pas fin<\/td>\n<td>Tr\u00e8s \u00e9lev\u00e9<\/td>\n<td>Court<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>4. Type d'obligation<\/h3>\n<p>Les syst\u00e8mes de liaison (r\u00e9sine, m\u00e9tal, hybride) influencent la r\u00e9tention du diamant, le comportement d'auto-aff\u00fbtage et la force de coupe. Les liants m\u00e9talliques sont plus rigides et conviennent aux plaquettes dures, tandis que les liants en r\u00e9sine conviennent mieux au silicium fin avec un \u00e9caillage minimal.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Type d'obligation<\/th>\n<th>Propri\u00e9t\u00e9s<\/th>\n<th>Application recommand\u00e9e<\/th>\n<th>Exigences en mati\u00e8re d'\u00e9quipement<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>R\u00e9sine<\/td>\n<td>Auto-aff\u00fbtage, force de coupe r\u00e9duite<\/td>\n<td>Si fin, matrice \u00e0 pas fin<\/td>\n<td>Couple standard<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>M\u00e9tal<\/td>\n<td>Grande rigidit\u00e9, longue dur\u00e9e de vie<\/td>\n<td>SiC, GaN, fili\u00e8re \u00e9paisse<\/td>\n<td>Broche \u00e0 couple \u00e9lev\u00e9<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Hybride<\/td>\n<td>Usure et stabilit\u00e9 \u00e9quilibr\u00e9es<\/td>\n<td>Mat\u00e9riaux mixtes<\/td>\n<td>Broche \u00e0 couple moyen<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>5. Diam\u00e8tre des lames et adaptation de l'\u00e9quipement<\/h3>\n<p>Le diam\u00e8tre de la lame influe sur les limites de vitesse de rotation, la vitesse p\u00e9riph\u00e9rique et la stabilit\u00e9 de la coupe. Il doit correspondre \u00e0 la bride de la broche et \u00e0 la rigidit\u00e9 de rotation de l'\u00e9quipement. Les diam\u00e8tres plus importants permettent des coupes plus r\u00e9guli\u00e8res \u00e0 des vitesses \u00e9lev\u00e9es, tandis que les diam\u00e8tres plus petits conviennent \u00e0 des coupes de haute pr\u00e9cision et de faible force.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Diam\u00e8tre (mm)<\/th>\n<th>Plage de r\u00e9gime<\/th>\n<th>Application<\/th>\n<th>Note d'ing\u00e9nierie<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>50-65<\/td>\n<td>25,000-45,000<\/td>\n<td>Plaques de silicium minces<\/td>\n<td>Haute pr\u00e9cision, faible \u00e9paisseur<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>70-100<\/td>\n<td>20,000-35,000<\/td>\n<td>Plaquettes \u00e9paisses ou compos\u00e9es<\/td>\n<td>N\u00e9cessite une v\u00e9rification de la rigidit\u00e9 de la broche<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3>6. Largeur de la bande et qualit\u00e9 des bords<\/h3>\n<p>La largeur de l'ar\u00eate est une combinaison de l'\u00e9paisseur nominale, de la largeur, de la vibration lat\u00e9rale, de la saillie du diamant et du faux-rond de la machine. La qualit\u00e9 du bord est en corr\u00e9lation avec le micro-d\u00e9chiquetage, la r\u00e9sistance de la matrice et la fiabilit\u00e9 en aval.<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Mat\u00e9riau de la plaquette<\/th>\n<th>Diam\u00e8tre nominal (\u03bcm)<\/th>\n<th>Risque d'\u00e9caillage des bords<\/th>\n<th>Implication sur le rendement<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Si<\/td>\n<td>20-35<\/td>\n<td>Faible<\/td>\n<td>Nombre \u00e9lev\u00e9 de matrices, stabilit\u00e9<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>GaAs<\/td>\n<td>25-45<\/td>\n<td>Moyen<\/td>\n<td>Rendement mod\u00e9r\u00e9<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>SiC \/ GaN<\/td>\n<td>40-80<\/td>\n<td>Haut<\/td>\n<td>N\u00e9cessite une s\u00e9lection minutieuse des lames<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"dynamic-effects\">Effets dynamiques et modes de d\u00e9faillance<\/h2>\n<ul>\n<li>Marche de la lame : d\u00e9rive lat\u00e9rale due au d\u00e9s\u00e9quilibre, \u00e0 la largeur et au faux-rond. Att\u00e9nuation : optimiser la largeur et assurer une distribution sym\u00e9trique des diamants.<\/li>\n<li>\u00c9barbage des bords d\u00fb aux vibrations : se produit avec des lames minces, larges ou us\u00e9es \u00e0 une vitesse d'avance \u00e9lev\u00e9e. Att\u00e9nuation : r\u00e9duire la vitesse d'avance, ajuster la vitesse de rotation, choisir un liant plus rigide.<\/li>\n<li>Usure de la lame : l'usure irr\u00e9guli\u00e8re augmente la variation du kerf. Att\u00e9nuation : surveiller la concentration de diamants et le type de liant.<\/li>\n<li>Dilatation thermique : les coupes rapides sur des plaquettes dures peuvent induire une dilatation de la lame, ce qui affecte la consistance du trait de scie. Att\u00e9nuation : gestion du liquide de refroidissement et optimisation de la vitesse de rotation et de l'alimentation.<\/li>\n<\/ul>\n<h2 id=\"custom-solutions\">Sp\u00e9cifications des lames avanc\u00e9es et personnalis\u00e9es<\/h2>\n<p>Pour les plaquettes ultra-minces, les matrices \u00e0 pas fin ou les plaquettes composites dures, les lames personnalis\u00e9es peuvent inclure :<\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Param\u00e8tres<\/th>\n<th>Gamme<\/th>\n<th>Prestations d'ing\u00e9nierie<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>\u00c9paisseur ultra-mince<\/td>\n<td>12-20 \u03bcm<\/td>\n<td>Maximiser la densit\u00e9 de la matrice, minimiser le kerf<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Lame de micro-largeur<\/td>\n<td>15-25 \u03bcm<\/td>\n<td>R\u00e9duction des contraintes sur les bords, am\u00e9lioration de la stabilit\u00e9 du trait de scie<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Diamant \u00e0 haute concentration<\/td>\n<td>100-120 %<\/td>\n<td>Prolonger la dur\u00e9e de vie des lames pour les plaquettes dures<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Formulations sp\u00e9ciales d'obligations<\/td>\n<td>R\u00e9sine hybride renforc\u00e9e<\/td>\n<td>\u00c9quilibre entre l'auto-aff\u00fbtage et la stabilit\u00e9 lat\u00e9rale<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Bord biseaut\u00e9 ou g\u00e9om\u00e9trie non circulaire<\/td>\n<td>Sur mesure<\/td>\n<td>Minimiser l'\u00e9caillage et am\u00e9liorer l'\u00e9vacuation des d\u00e9bris<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"optimization-strategies\">Strat\u00e9gies d'optimisation des param\u00e8tres<\/h2>\n<p>Les ing\u00e9nieurs doivent suivre un flux de travail structur\u00e9 :<\/p>\n<ol>\n<li>D\u00e9finir le mat\u00e9riau, l'\u00e9paisseur, la taille de la matrice et le pas de la plaquette.<\/li>\n<li>\u00c9valuer les limites de la broche, du couple, du faux-rond et de la bride de l'\u00e9quipement.<\/li>\n<li>S\u00e9lectionner le type de liant et le grain\/la concentration de diamant en fonction de la duret\u00e9 du mat\u00e9riau.<\/li>\n<li>Optimiser l'\u00e9paisseur et la largeur pour assurer la stabilit\u00e9 du trait de scie et la qualit\u00e9 du bord de la matrice.<\/li>\n<li>V\u00e9rifier le diam\u00e8tre des pales en fonction des contraintes de vitesse de rotation et de vitesse p\u00e9riph\u00e9rique.<\/li>\n<li>Effectuer un d\u00e9coupage pilote et inspecter le trait de scie, l'\u00e9caillage des bords et l'usure de la lame.<\/li>\n<li>It\u00e9rer les param\u00e8tres pour \u00e9quilibrer le rendement, la stabilit\u00e9 du processus et la dur\u00e9e de vie de l'aube.<\/li>\n<\/ol>\n<p>R\u00e9f\u00e9rence crois\u00e9e S\u00e9lection des lames et <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/blade-dicing-process-for-semiconductor-wafers\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Processus de d\u00e9coupage des lames<\/a> pour une prise de d\u00e9cision int\u00e9gr\u00e9e.<\/p>\n<h2 id=\"common-mistakes\">Erreurs de s\u00e9lection courantes et mesures d'att\u00e9nuation<\/h2>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"0\" cellpadding=\"8\">\n<tbody>\n<tr>\n<th>Erreur<\/th>\n<th>Cons\u00e9quence<\/th>\n<th>Att\u00e9nuation par l'ing\u00e9nierie<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Choisir uniquement la lame la plus fine<\/td>\n<td>Vibrations, marche, dommages \u00e0 la matrice<\/td>\n<td>\u00c9quilibrer l'\u00e9paisseur par rapport \u00e0 la largeur, tenir compte de la rigidit\u00e9 de la broche<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Ignorer le type d'obligation<\/td>\n<td>Usure pr\u00e9matur\u00e9e ou \u00e9caillage<\/td>\n<td>S\u00e9lection du liant en fonction de la duret\u00e9 des plaquettes et de la vitesse d'avance<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Ne pas tenir compte des limites de l'\u00e9quipement<\/td>\n<td>Flottement des pales, variation du trait de scie<\/td>\n<td>V\u00e9rifier le r\u00e9gime, le couple, la compatibilit\u00e9 des brides<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Absence de surveillance de la concentration de diamants<\/td>\n<td>D\u00e9t\u00e9rioration de la qualit\u00e9 des bords<\/td>\n<td>Maintenir la granulom\u00e9trie et la concentration recommand\u00e9es<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Sauter la validation du pilote<\/td>\n<td>D\u00e9fauts d'ar\u00eate non d\u00e9tect\u00e9s, perte de rendement<\/td>\n<td>Effectuer une inspection SEM\/optique sur les coupes initiales<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2 id=\"conclusion\">R\u00e9sum\u00e9 et consid\u00e9rations au niveau du syst\u00e8me<\/h2>\n<p>Les sp\u00e9cifications des lames de d\u00e9coupe sont des param\u00e8tres techniques multidimensionnels qui doivent \u00eatre optimis\u00e9s en tant que syst\u00e8me. L'\u00e9paisseur, la largeur, le grain de diamant, la concentration, le type de liant et le diam\u00e8tre interagissent tous avec le mat\u00e9riau de la plaquette et les limites de l'\u00e9quipement pour d\u00e9terminer le trait de scie, la qualit\u00e9 des ar\u00eates, la r\u00e9sistance de la matrice et la dur\u00e9e de vie de la lame.<\/p>\n<p>Pour de meilleurs r\u00e9sultats :<\/p>\n<ul>\n<li>Int\u00e9grer les connaissances <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/dicing-blade-technology-in-semiconductor-manufacturing\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Technologie des lames de d\u00e9coupe<\/a>, <a href=\"https:\/\/jeez-semicon.com\/fr\/blog\/diamond-dicing-blades-for-semiconductor-wafers\/\">Lames de d\u00e9coupe en diamant<\/a>, Le choix de l'\u00e9quipement, de l'\u00e9paisseur, de la largeur et de la lame.<\/li>\n<li>Utiliser des essais pilotes et des inspections structur\u00e9es pour valider les param\u00e8tres.<\/li>\n<li>Documenter toutes les sp\u00e9cifications des lames et les limites du processus pour une fabrication reproductible \u00e0 haut rendement.<\/li>\n<\/ul>\n<p>Ce livre blanc constitue une r\u00e9f\u00e9rence technique compl\u00e8te pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent \u00e0 optimiser les performances du d\u00e9coupage des plaquettes et \u00e0 minimiser les essais et les erreurs lors de la s\u00e9lection des lames.<\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Accurate specification of dicing blades is a critical factor in semiconductor wafer singulation. 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