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なぜ3C製品の鏡面研磨に電解研磨ではなくCMPを選ぶのか？3C産業（携帯電話、ノートパソコン、スマートウェアラブルなど）では、エッジのオーバーエッチングや材料の限界などの問題から、電気化学研磨は徐々にCMP（化学機械研磨）に取って代わられつつあります。ナノスケールSiO2研磨スラリーのメカノケミカルシナジーにより、Jizhi Electronicsは以下を実現します：表面粗さRa < 2nm、光学グレードミラーの要件を満たす。複雑な構造への適応性：複雑な構造への適応性：アルミニウム合金の中間フレームやステンレス製ボタンなどの不規則な部品に適しています。効率向上従来の方法に比べ、加工時間を30%短縮。シリカ研磨スラリーのピッティング問題を徹底分析 顧客から報告されたピッティング ...
半導体製造、精密光学、硬質合金加工などの分野では、材料表面の超精密研磨が製品の性能と信頼性を直接左右する。先進的な研究開発能力と成熟したプロセス技術を活用し、磁志電子は高性能のダイヤモンド研磨/研削スラリーシリーズを発表し、高硬度材料に効率的で安定した研磨ソリューションを提供する。Jizhi Electronicsのダイヤモンド懸濁液製品（研削スラリー/研磨スラリー）は、様々な研磨ニーズに対応し、材料特性とプロセス要件に基づいて以下のように分類されます：1.結晶構造による分類 単結晶ダイヤモンド研磨スラリー：単結晶ダイヤモンド研磨スラリー：単結晶ダイヤモンド研磨スラリーは、単結晶ダイヤモンドの結晶構造と均一な切削力を特徴とし、高精度の表面研磨と切削抵抗の低減に適している。.
I.CMP研磨技術：半導体製造の主要工程 化学的機械的平坦化（CMP）は、半導体シリコンウェーハ製造の中核工程の一つであり、チップの性能と歩留まりに直接影響を与えます。ウェハー加工中、CMPは化学的腐食と機械的研磨の相乗作用により、原子レベルの表面平坦化（粗さ0.2nm以下）を達成し、先端プロセスノードの超清浄で超平坦な表面要求に応えます。Jizhi Electronics CMP研磨スラリーの3つのコア機能 ①効率的な研磨：ナノスケール砥粒（コロイド状SiO2など）が表面の突起を正確に除去し、ウェハーの平坦度を向上させ、微小スクラッチを低減します。潤滑と保護：特殊添加剤により摩擦係数を低減（<0.05）し、装置の摩耗を最小限に抑えます。.
ウェーハ製造のグローバルな平坦化段階において、化学的機械研磨（CMP）は重要なプロセスです。中核消耗品であるCMP研磨スラリーは、平坦度や欠陥率といったウェハー表面の主要指標を直接決定し、最終的なチップ性能と歩留まりに影響を与えます。CMP 研磨スラリーの核心的な利点と選択基準に基づき、日紫電子は半導体製造企業に実用的な参考資料を提供します。I.CMP研磨スラリーの4つの核心特性 CMP研磨スラリーは研磨剤、酸化剤、キレート剤などの成分から配合され、“化学的腐食 ”と “機械的研磨 ”のバランスを必要とする。その核となる特性は次のようにまとめられる。.
