CMP 研磨垫和粗/中级抛光垫的核心区别是什么？应如何选择？

CMP 整饰垫（最终垫）专门设计用于 超精密表面处理. .它们的主要特点包括

• 更精细的表面结构:孔隙率 < 10%，沟槽密度更高，可实现纳米级材料去除控制（< 50 nm/min）

• 优化的弹性模量 (通常 < 500 兆帕）：通过柔性接触缓冲压力，避免表面损坏

• 增强化学兼容性:表面处理，用于碱性/氧化性泥浆
  选择指南:

• 粗抛光阶段:使用高硬度衬垫（> 1 GPa），以实现快速移除

• 收尾阶段:必须使用抛光垫，以确保表面粗糙度 Ra < 0.5 nm
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