¿Qué propiedades especiales requieren las almohadillas de acabado cuando se procesan materiales semiconductores de tercera generación como el nitruro de galio (GaN)?

Deben cumplirse tres requisitos especiales:

• Pulido de bajo esfuerzo: El módulo elástico del sustrato debe coincidir con la naturaleza frágil del GaN (resistencia a la fractura < 2 MPa-m¹/²) para evitar microfisuras.

• Resistencia a entornos fuertemente alcalinos: El poliuretano modificado con PTFE permite un funcionamiento estable > 200 horas en lodos a base de KOH con pH > 12

• Gestión térmica mejorada: Conductividad térmica > 0,5 W/m-K para una rápida disipación del calor de fricción localizado (el GaN es sensible a la temperatura).
  Jizhi Electronics’ Serie de pastillas específicas para GaN se ha validado en la producción en serie de obleas de 6 pulgadas, con un control del alabeo < 50 µm.