Rectificado y pulido de sustratos de carburo de silicio

Características del producto

JIZHI Electronics ha desarrollado un proceso de pulido de carburo de silicio en cuatro pasos que combina diferentes grados de lodos de esmerilado, lodos de pulido y almohadillas de pulido (almohadilla de esmerilado grueso, almohadilla de esmerilado fino, almohadilla de pulido áspero y almohadilla de pulido final). Este proceso mejora la calidad de la superficie de los sustratos de carburo de silicio en aplicaciones de esmerilado y pulido, al tiempo que aumenta significativamente la tasa de eliminación de material.

Proceso y aplicaciones

Adecuado para flujos de proceso DMP y CMP de sustratos de carburo de silicio SiC, mejorando eficazmente la eficiencia y el rendimiento. Los lodos de pulido de carburo de silicio y las almohadillas de pulido permiten la sustitución localizada (nacional) de productos importados.

Breve descripción del flujo de procesamiento del sustrato de carburo de silicio

Proceso de rectificado del carburo de silicio (SiC) - Rectificado basto / Rectificado fino

Paso 1
Proceso de rectificado de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC
Equipo de verificación	双面36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8003
Almohadilla pulidora	JZ-1020
Presión	3 psi
Velocidad de rotación del plato superior	25 rpm
Velocidad de rotación de la platina inferior	10 rpm
Caudal de lodo	5L /min
Tasa de pulido	25-30um/H
Rugosidad superficial	1,22 nm
TTV (variación total del grosor)	<2
Warp	<30
Arco	<10

Rectificado basto - Se utiliza con la almohadilla de lapeado
Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado
Modelo	JZ-1020
Espesor	1,4 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 85
Relación de compresión	2.92

Paso 2
Proceso de molienda fina de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC
Equipo de verificación	双面36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8001
Almohadilla pulidora	JZ-1020
Presión	3 psi
Velocidad de rotación del plato superior	25 rpm
Velocidad de rotación de la platina inferior	10 rpm
Caudal de lodo	5L /min
Tasa de pulido	6,8um/H
Rugosidad superficial	0,45 nm
TTV (variación total del grosor)	<2
Warp	<30
Arco	<20

ine Grinding - Se utiliza con la almohadilla de lapeado
Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado
Modelo	JZ-1020
Espesor	1,4 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 85
Relación de compresión	2.92

Proceso de esmerilado fino y basto CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC

Consejo 1 - Utilizando lodo de rectificado basto con una almohadilla de lapeado, Ra puede alcanzar 1,22 nm o menos.
Consejo 2 - Utilizando una pasta de esmerilado fina con una almohadilla de lapeado, el Ra puede alcanzar 0,45 nm o menos.

Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) - Pulido basto / Pulido fino

Paso 3
Proceso de pulido de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC
Equipo de verificación	双面36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8010
Almohadilla pulidora	JZ-3020
Presión	350 g/cm2
Velocidad de rotación	40 rpm
Tasa de pulido	2,5um/H
Rugosidad superficial	0,13 nm

Dimensiones y especificaciones del disco de pulir
Modelo	JZ-3020
Espesor	1,4 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 85
Relación de compresión	2.94

Paso 4
Proceso de pulido final del carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de pulido basto CMP de sustratos de SiC
Equipo de verificación	双面36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8020
Almohadilla pulidora	JZ-326
Presión	300 g/cm2
Velocidad de rotación	40 rpm
Tasa de pulido	0,25um/H
Rugosidad superficial	0,06 nm

Dimensiones y especificaciones del disco de pulir
Modelo	JZ-326
Espesor	1,3 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 51°
Relación de compresión	10.77

Proceso de desbaste y pulido final CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC

Consejo 3 - Utilizando una pasta de pulido rugosa con una almohadilla de lapeado, la Ra puede alcanzar 0,13 nm o menos.
Consejo 4 - Utilizando una pasta de pulido final con una almohadilla de pulido final, Ra puede alcanzar 0,06 nm o menos.

Productos y parámetros recomendados para procesos de esmerilado y pulido de carburo de silicio

Método de almacenamiento de la pasta de pulido de carburo de silicio SiC de JIZHI Electronics

Almacenar en un almacén bien ventilado, fresco y seco. El producto debe almacenarse a 5-35 °C, protegido de la luz solar directa y de la congelación. Si se almacena por debajo de 0 °C, puede producirse una aglomeración irreversible que inutilice el producto.

Precios de JIZHI Electronics CMP / Slurry Polishing Liquids

Los lodos de pulido de metales CMP de JIZHI Electronics se fabrican utilizando tecnologías y equipos de producción extranjeros avanzados y se formulan con composiciones químicas especializadas. La calidad de los lodos de pulido de JIZHI Electronics es comparable a la de productos importados similares.

Gracias a la producción localizada, los lodos CMP de JIZHI Electronics ofrecen plazos de entrega cortos, una alta calidad estable y precios competitivos y rentables.