Quelles sont les propriétés particulières requises pour les tampons de finition lors du traitement de matériaux semi-conducteurs de troisième génération tels que le nitrure de gallium (GaN) ?

Trois conditions particulières doivent être remplies :

• Polissage à faible contrainte: Le module élastique du substrat doit correspondre à la nature fragile du GaN (ténacité à la rupture < 2 MPa-m¹/²) pour éviter les microfissures.

• Résistance aux environnements fortement alcalins: Le polyuréthane modifié au PTFE permet un fonctionnement stable > 200 heures dans des boues à base de KOH avec un pH > 12

• Gestion thermique améliorée: Conductivité thermique > 0,5 W/m-K pour une dissipation rapide de la chaleur de frottement localisée (le GaN est sensible à la température).
  Jizhi Electronics’ Série de tampons spécifiques au GaN a été validé dans la production de masse de plaquettes de 6 pouces, avec un contrôle du gauchissement < 50 µm.