Notre
Avantages technologiques
Une fabrication avancée et un contrôle de qualité strict garantissent
des performances constantes dans les applications exigeantes.
Notre
Solution
Solutions axées sur les applications pour le découpage, le polissage et le CMP
sur différents matériaux.
Le polissage mécano-chimique (CMP) est actuellement la seule technologie utilisée dans la fabrication industrielle moderne pour le polissage de la surface des pièces et la planarisation globale de la surface des plaquettes dans la fabrication des circuits intégrés. La ...
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Équipements de production
Des équipements de production spécialisés permettent d'obtenir des résultats de haute précision
et une constance fiable des produits.
Notre
NOUVELLES
Mises à jour des produits, informations techniques et nouvelles de l'industrie de la part de
la découpe et le polissage des semi-conducteurs.
L'évaluation de la durée de vie nécessite un suivi complet des indicateurs suivants :
| Mesure de surveillance | Plage normale | Remplacement Avertissement |
|---|---|---|
| Changement de la porosité de surface | Valeur initiale ± 5% | > ± 15% |
| Taux de récupération élastique | > 92% | < 85% |
| Coefficient de friction Stabilité | Fluctuation < ± 0,02 | Fluctuation > ± 0,05 |
| Taux de consommation de boues | Base ± 10% | Augmenter > 25% |
Solution de surveillance intelligente: Nous proposons en option des capteurs intégrés qui transmettent des données de pression/température en temps réel aux systèmes MES du client. Une analyse professionnelle de la topographie de la surface est recommandée tous les 500 cycles de polissage.
Trois conditions particulières doivent être remplies :
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Polissage à faible contrainte: Le module élastique du substrat doit correspondre à la nature fragile du GaN (ténacité à la rupture < 2 MPa-m¹/²) pour éviter les microfissures.
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Résistance aux environnements fortement alcalins: Le polyuréthane modifié au PTFE permet un fonctionnement stable > 200 heures dans des boues à base de KOH avec un pH > 12
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Gestion thermique améliorée: Conductivité thermique > 0,5 W/m-K pour une dissipation rapide de la chaleur de frottement localisée (le GaN est sensible à la température).
Jizhi Electronics’ Série de tampons spécifiques au GaN a été validé dans la production de masse de plaquettes de 6 pouces, avec un contrôle du gauchissement < 50 µm.
L'amélioration peut être quantifiée à l'aide de trois indicateurs clés :
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Amélioration du TTV: La conception exclusive de la couche élastique poreuse permet de contrôler la variation de l'épaisseur totale de la plaquette à < 0,3 µm (amélioration de 40% par rapport aux plaquettes conventionnelles).
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Uniformité du taux d'enlèvement: La technologie des micro-canaux améliore la non-uniformité à l'intérieur du wafer (WIWNU) à > 95%
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Contrôle des défauts: La structure flexible de la surface des fibres réduit la densité des défauts de rayures à < 0,05 points/cm².
Nous proposons services gratuits d'audit de processus de fournir aux clients des rapports de comparaison.
