Le polissage des plaquettes de saphir a pour but de réduire l'épaisseur finale du substrat à la valeur cible souhaitée, en obtenant une TTV (variation totale de l'épaisseur) meilleure que ±2 μm et une rugosité de surface inférieure à 2 nm. Ces exigences opérationnelles requièrent des machines et des processus d'une grande précision, d'une grande efficacité et d'une grande stabilité. L'utilisation de la barbotine de polissage du saphir et des tampons de polissage de Gizhil Electronic pour le prépolissage et le polissage CMP (Chemical Mechanical Polishing) permet la réalisation de ce processus.
En utilisant les techniques de polissage CMP, les pièces en saphir peuvent atteindre la rugosité de surface souhaitée. Chaque plaquette de saphir polie subit un enlèvement de matière uniforme pendant le traitement, ce qui garantit un état de surface constant. En ajustant la charge de pression, il est possible d'atteindre un taux d'enlèvement de matière (MRR) de 1 à 2 μm par heure.
Le polissage des plaquettes de saphir se divise en deux catégories : le polissage du plan A et le polissage du plan C. Du point de vue des propriétés du plan cristallin du saphir, le plan A a une dureté plus élevée que le plan C. Les écrans de smartphones, qui appartiennent au plan A du cristal de saphir, présentent les plus grandes difficultés de polissage. En particulier, les écrans de smartphones, qui appartiennent à l'orientation du cristal de saphir dans le plan A, présentent les plus grandes difficultés de polissage. Le polissage du saphir du plan A comprend généralement trois étapes : le ponçage, le polissage au cuivre et le polissage fin. L'étape de prépolissage permet de réduire la profondeur des rayures de surface causées par le processus de coupe des plaquettes de saphir brutes. Plus important encore, elle garantit que l'épaisseur des plaquettes de saphir brutes traitées par lots est aussi homogène que possible.
