Silicon Carbide Substrate Polishing

Produktmerkmale

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of polishing slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during polishing while significantly increasing the material removal rate.

Verfahren und Anwendungen

Geeignet für DMP- und CMP-Verfahren für SiC-Siliciumcarbid-Substrate, wodurch Effizienz und Ausbeute effektiv verbessert werden. Die Siliziumkarbid-Polierschlämme und -Polierpads ermöglichen den Ersatz von importierten Produkten vor Ort (im Inland).

Kurzer Überblick über den Verarbeitungsprozess von Siliziumkarbid-Substraten

Siliziumkarbid (SiC) Polierverfahren - Grobpolieren / Feinpolieren

Stufe 3
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobpolierverfahren

CMP-Grobpolierverfahren für SiC-Substrate
Ausrüstung für die Verifizierung	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8010
Polierkissen	JZ-3020
Druck	350g/cm2
Rotationsgeschwindigkeit	40 Umdrehungen pro Minute
Polierrate	2,5um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,13nm

Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads
Modell	JZ-3020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.94

Stufe4
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Endpolierverfahren

CMP-Grobpolierverfahren für SiC-Substrate
Ausrüstung für die Verifizierung	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8020
Polierkissen	JZ-326
Druck	300g/cm2
Rotationsgeschwindigkeit	40 Umdrehungen pro Minute
Polierrate	0,25 um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,06nm

Abmessungen und Spezifikationen des Grobpolierpads
Modell	JZ-326
Dicke	1,3 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 51°
Verdichtungsverhältnis	10.77

JIZHI Electronics’ CMP-Vor- und Endpolierverfahren für SiC-Substrate

Tipp 3 - Bei der Verwendung von grobem Polierschlamm mit einem Läppkissen kann Ra 0,13 nm oder weniger erreichen.
Tipp 4 - Mit einer Endpolierflüssigkeit und einem Endpolierpad kann Ra 0,06 nm oder weniger erreichen.

Empfohlene Produkte und Parameter für Siliziumkarbid-Schleif-/Polierprozesse

Lagerungsmethode für JIZHI Electronics SiC Siliziumkarbid-Polierschlamm

In einem gut belüfteten, kühlen und trockenen Lagerhaus aufbewahren. Das Produkt muss bei 5-35 °C gelagert werden und vor direkter Sonneneinstrahlung und Frost geschützt werden. Bei Lagerung unter 0 °C kann es zu irreversibler Agglomeration kommen, wodurch das Produkt unbrauchbar wird.

Preisgestaltung von JIZHI Electronics CMP / Slurry Polierflüssigkeiten

Die CMP-Metallpolierschlämme von JIZHI Electronics werden mit fortschrittlichen Produktionstechnologien und -anlagen in Übersee hergestellt und mit speziellen chemischen Zusammensetzungen formuliert. Die Qualität der Polierschlämme von JIZHI Electronics ist vergleichbar mit der von ähnlichen importierten Produkten.

Dank der lokalen Produktion bieten die CMP-Slurries von JIZHI Electronics kurze Lieferzeiten, eine stabile, hohe Qualität und wettbewerbsfähige, kostengünstige Preise.