Silicon Carbide Substrate Polishing

Caractéristiques du produit

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of polishing slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during polishing while significantly increasing the material removal rate.

Process and Applications

Suitable for SiC silicon carbide substrate DMP and CMP process flows, effectively improving efficiency and yield. The silicon carbide polishing slurries and polishing pads enable localized (domestic) replacement of imported products.

Brief Overview of the Silicon Carbide Substrate Processing Flow

Silicon Carbide (SiC) Polishing Process – Rough Polishing / Fine Polishing

Step3
JIZHI Electronics Silicon Carbide (SiC) Rough Polishing Process

SiC Substrate CMP Rough Polishing Process
Verification Equipment	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Boues de polissage	JZ-8010
Tampon de polissage	JZ-3020
Pressure	350g/cm2
Rotation Speed	40 rpm
Polishing Rate	2.5um/H
Surface Roughness	0.13nm

Rough Polishing Pad Dimensions and Specifications
Model	JZ-3020
Épaisseur	1.4 mm
Groove Pattern	Personnalisable
Dureté	Shore A 85°
Taux de compression	2.94

Step4
JIZHI Electronics Silicon Carbide (SiC) Final Polishing Process

SiC Substrate CMP Rough Polishing Process
Verification Equipment	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Boues de polissage	JZ-8020
Tampon de polissage	JZ-326
Pressure	300g/cm2
Rotation Speed	40 rpm
Polishing Rate	0.25um/H
Surface Roughness	0.06nm

Rough Polishing Pad Dimensions and Specifications
Model	JZ-326
Épaisseur	1.3 mm
Groove Pattern	Personnalisable
Dureté	Shore A 51°
Taux de compression	10.77

JIZHI Electronics’ CMP rough and final polishing process for SiC substrates

Tip 3 – Using rough polishing slurry with a lapping pad, Ra can reach 0.13 nm or lower.
Tip 4 – Using final polishing slurry with a final polishing pad, Ra can reach 0.06 nm or lower.

Recommended Products and Parameters for Silicon Carbide Grinding / Polishing Processes

Storage Method for JIZHI Electronics SiC Silicon Carbide Polishing Slurry

Stocker dans un entrepôt bien ventilé, frais et sec. Le produit doit être stocké à une température comprise entre 5 et 35 °C, à l'abri de la lumière directe du soleil et du gel. S'il est stocké à une température inférieure à 0 °C, une agglomération irréversible peut se produire, rendant le produit inutilisable.

Prix des liquides de polissage CMP / Slurry de JIZHI Electronics

Les boues de polissage des métaux CMP de JIZHI Electronics sont fabriquées à l'aide de technologies et d'équipements de production avancés à l'étranger et sont formulées avec des compositions chimiques spécialisées. La qualité des boues de polissage de JIZHI Electronics est comparable à celle de produits importés similaires.

Grâce à une production locale, les boues CMP de JIZHI Electronics offrent des délais de livraison courts, une haute qualité stable et des prix compétitifs et rentables.