カッティングブレード

hd25、 hs25、 e25

現在、当社には3種類の切断ブレードシリーズがあります：HD25、HS25、E25の3シリーズがあり、半導体ウェハー、パッケージ基板、LTCC、PZT、TGGなど様々な硬脆材料の加工に適しています。.

主な特徴

各種コンパウンドウェーハに対応。.
硬くて脆い材料に適している。.

製品名

hd25、 hs25、 e25

製品紹介

現在、半導体ウェーハ、パッケージ基板、LTCC、PZT、TGGなどの各種硬脆材料の加工に適したダイシングブレードとして、HD25、HS25、E25の3シリーズを提供しています。精密電気メッキ、砥粒粒度制御、超精密機械加工などのキーテクノロジーを習得し、国内市場でトップレベルのブレードを実現しています。.

パッケージングとテストプロセス

ウェハー・パターニング

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バックサイド・シンニング

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研磨

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ウエハーダイシング

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パッケージング

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パッケージ・シンギュレーション

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チップ

製品紹介 HD25

ハードダイシングブレードHD25シリーズは、高い加工精度とナローカーフが特長です。シリコンウェーハ、酸化膜ウェーハ、炭化ケイ素（SiC）、ガリウムヒ素（GaAs）、ガリウムリン（GaP）などの各種化合物ウェーハの加工に適しています。.

仕様例HD25 CB 3000N 70

ブレード露出 (um)		カーフ幅 (um)		グリットサイズ（メッシュサイズ）		ボンディング剤		体積濃度
Z	250-380	Z	11-15	5000	2500	S	シャープタイプ	50
A	380-510	A	16-20	4800	2000	N	汎用タイプ	70
B	510-640	B	20-25	4500	1800	H	高強度タイプ	90
C	640-760	C	25-30	4000	1700			110
D	760-890	D	30-35	3500	1500			130
E	890-1020	E	35-40	3000	1000
F	1020-1150	F	40-50
G	1150-1270	G	50-60

製品紹介 HS25

HS25シリーズハードダイシングブレードは、優れた耐摩耗性とエッジ安定性の向上により、チップのサイドウォールの段差を効果的に抑制し、安定したダイ寸法を実現します。セラミックLED基板、半導体パッケージ基板、PZTやTGGなどの硬脆性材料に適しています。.

仕様例HS25 58×4.0×0.2B 400S30S48

外径(mm)	露出(mm)		厚さ(mm)		厚さ公差(mm)		粒度（メッシュサイズ）	ボンディング剤		体積濃度	スロット数
56	2.0	3.4	0.06	0.20	A	±0.005	1200	S	シャープタイプ	30	S16	16
58	2.2	3.6	0.08	0.22	B	±0.010	1000	N	汎用タイプ	50	S32	32
	2.4	3.8	0.10	0.24	C	±0.015	800	H	高強度タイプ	70	S48	48
	2.6	4.0	0.12	0.26			600			90
	2.8	4.2	0.14	0.28			500			110
	3.0	4.4	0.16	0.30			400			130
	3.2	4.6	0.18	0.32			340			150

製品紹介 ES25

ES25シリーズのソフトダイシングブレードは、最大200 mm/sの切断速度に対応し、7,000 m以上の耐用年数を誇ります。PCB基板、EMC基板、チップLED基板、LTCC、PZT、TGGなどの硬脆性材料に適しています。.

仕様例E25 56 ×0.08B ×40 800H130S16

外径（mm）	厚さ（mm）	厚さ公差（mm）	内径 (mm)	グリットサイズ（メッシュサイズ）	ボンディング剤	体積濃度	スロット数
50	0.02	P ±0.003	40	1200	S - シャープタイプ	30	S16 (16)
52	0.04	A ±0.005		1000	N - 汎用タイプ	50	S32 (32)
54	0.06	B ±0.010		800	H - 高強度タイプ	70	S48 (48)
56	0.08	C ±0.015		600		90
58	0.10			500		110
59	0.12			400		130
	0.14			340		150