Siliziumkarbid-Substrat-Schleifsuspension

Produktkategorie

JIZHI Electronics – Silicon Carbide Grinding / Semiconductor Wafer Polishing

Produktmerkmale

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of grinding slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during grinding while significantly increasing the material removal rate.

Verfahren und Anwendungen

Suitable for DMP and CMP processes of SiC substrates, effectively improving efficiency and yield. SiC grinding slurries and polishing pads enable domestic substitution for imported products.

Kurzer Überblick über den Verarbeitungsprozess von Siliziumkarbid-Substraten

Siliziumkarbid (SiC) Schleifprozess - Grobschleifen / Feinschleifen

Stufe1
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Grobschleifverfahren

SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren
Ausrüstung für die Verifizierung	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8003
Polierkissen	JZ-1020
Druck	3 psi
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze	25 Umdrehungen pro Minute
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte	10 Umdrehungen pro Minute
Durchsatz der Gülle	5L /min
Polierrate	25-30um/H
Oberflächenrauhigkeit	1,22nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bogen	<10

Grobschleifen - Verwendung mit Läppkissen
Abmessungen und Spezifikationen der Läppscheibe
Modell	JZ-1020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.92

Stufe2
JIZHI Electronics Siliziumkarbid (SiC) Feinschleifverfahren

SiC Beidseitiges Grobschleifverfahren
Ausrüstung für die Verifizierung	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Polierschlämme	JZ-8001
Polierkissen	JZ-1020
Druck	3 psi
Rotationsgeschwindigkeit der oberen Walze	25 Umdrehungen pro Minute
Rotationsgeschwindigkeit der unteren Platte	10 Umdrehungen pro Minute
Durchsatz der Gülle	5L /min
Polierrate	6,8 um/H
Oberflächenrauhigkeit	0,45nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bogen	<20

ine Schleifen - verwendet mit Läppscheibe
Abmessungen und Spezifikationen der Läppscheibe
Modell	JZ-1020
Dicke	1,4 mm
Rillenmuster	Anpassbar
Härte	Shore A 85°
Verdichtungsverhältnis	2.92

JIZHI Electronics’ CMP Grob- und Feinschleifverfahren für SiC-Substrate

Tipp 1 - Bei Verwendung einer groben Schleifsuspension mit einem Läppkissen kann Ra 1,22 nm oder weniger erreichen.
Tipp 2 - Bei Verwendung einer feinen Schleifsuspension mit einem Läppkissen kann Ra 0,45 nm oder weniger erreichen.

Empfohlene Produkte und Parameter für Siliziumkarbid-Schleif-/Polierprozesse

Lagerungsmethode für JIZHI Electronics SiC Siliziumkarbid-Polierschlamm

In einem gut belüfteten, kühlen und trockenen Lagerhaus aufbewahren. Das Produkt muss bei 5-35 °C gelagert werden und vor direkter Sonneneinstrahlung und Frost geschützt werden. Bei Lagerung unter 0 °C kann es zu irreversibler Agglomeration kommen, wodurch das Produkt unbrauchbar wird.

Preisgestaltung von JIZHI Electronics CMP / Slurry Polierflüssigkeiten

Die CMP-Metallpolierschlämme von JIZHI Electronics werden mit fortschrittlichen Produktionstechnologien und -anlagen in Übersee hergestellt und mit speziellen chemischen Zusammensetzungen formuliert. Die Qualität der Polierschlämme von JIZHI Electronics ist vergleichbar mit der von ähnlichen importierten Produkten.

Dank der lokalen Produktion bieten die CMP-Slurries von JIZHI Electronics kurze Lieferzeiten, eine stabile, hohe Qualität und wettbewerbsfähige, kostengünstige Preise.