Silicon Carbide Substrate Grinding Slurry

Catégorie de produits

JIZHI Electronics – Silicon Carbide Grinding / Semiconductor Wafer Polishing

Caractéristiques du produit

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of grinding slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during grinding while significantly increasing the material removal rate.

Process and Applications

Suitable for DMP and CMP processes of SiC substrates, effectively improving efficiency and yield. SiC grinding slurries and polishing pads enable domestic substitution for imported products.

Brief Overview of the Silicon Carbide Substrate Processing Flow

Silicon Carbide (SiC) Grinding Process – Rough Grinding / Fine Grinding

Step1
JIZHI Electronics Silicon Carbide (SiC) Rough Grinding Process

SiC Double-Sided Rough Grinding Process
Verification Equipment	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Boues de polissage	JZ-8003
Tampon de polissage	JZ-1020
Pressure	3 psi
Upper Platen Rotation Speed	25 rpm
Lower Platen Rotation Speed	10 rpm
Slurry Flow Rate	5L /min
Polishing Rate	25-30um/H
Surface Roughness	1.22nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bow	<10

Rough Grinding · Used with Lapping Pad
Lapping Pad Dimensions and Specifications
Model	JZ-1020
Épaisseur	1.4 mm
Groove Pattern	Personnalisable
Dureté	Shore A 85°
Taux de compression	2.92

Step2
JIZHI Electronics Silicon Carbide (SiC) Fine Grinding Process

SiC Double-Sided Rough Grinding Process
Verification Equipment	double-sided36B
Wafer	6″SiC
Boues de polissage	JZ-8001
Tampon de polissage	JZ-1020
Pressure	3 psi
Upper Platen Rotation Speed	25 rpm
Lower Platen Rotation Speed	10 rpm
Slurry Flow Rate	5L /min
Polishing Rate	6.8um/H
Surface Roughness	0.45nm
TTV (Total Thickness Variation)	<2
Warp	<30
Bow	<20

ine Grinding · Used with Lapping Pad
Lapping Pad Dimensions and Specifications
Model	JZ-1020
Épaisseur	1.4 mm
Groove Pattern	Personnalisable
Dureté	Shore A 85°
Taux de compression	2.92

JIZHI Electronics’ CMP rough and fine grinding process for SiC substrates

Tip 1 – Using rough grinding slurry with a lapping pad, Ra can reach 1.22 nm or lower.
Tip 2 – Using fine grinding slurry with a lapping pad, Ra can reach 0.45 nm or lower.

Recommended Products and Parameters for Silicon Carbide Grinding / Polishing Processes

Storage Method for JIZHI Electronics SiC Silicon Carbide Polishing Slurry

Stocker dans un entrepôt bien ventilé, frais et sec. Le produit doit être stocké à une température comprise entre 5 et 35 °C, à l'abri de la lumière directe du soleil et du gel. S'il est stocké à une température inférieure à 0 °C, une agglomération irréversible peut se produire, rendant le produit inutilisable.

Prix des liquides de polissage CMP / Slurry de JIZHI Electronics

Les boues de polissage des métaux CMP de JIZHI Electronics sont fabriquées à l'aide de technologies et d'équipements de production avancés à l'étranger et sont formulées avec des compositions chimiques spécialisées. La qualité des boues de polissage de JIZHI Electronics est comparable à celle de produits importés similaires.

Grâce à une production locale, les boues CMP de JIZHI Electronics offrent des délais de livraison courts, une haute qualité stable et des prix compétitifs et rentables.