Silicon Carbide Substrate Grinding Slurry

Categoría de productos

JIZHI Electronics – Silicon Carbide Grinding / Semiconductor Wafer Polishing

Características del producto

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of grinding slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during grinding while significantly increasing the material removal rate.

Proceso y aplicaciones

Suitable for DMP and CMP processes of SiC substrates, effectively improving efficiency and yield. SiC grinding slurries and polishing pads enable domestic substitution for imported products.

Breve descripción del flujo de procesamiento del sustrato de carburo de silicio

Proceso de rectificado del carburo de silicio (SiC) - Rectificado basto / Rectificado fino

Paso 1
Proceso de rectificado de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC
Equipo de verificación	double-sided36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8003
Almohadilla pulidora	JZ-1020
Presión	3 psi
Velocidad de rotación del plato superior	25 rpm
Velocidad de rotación de la platina inferior	10 rpm
Caudal de lodo	5L /min
Tasa de pulido	25-30um/H
Rugosidad superficial	1,22 nm
TTV (variación total del grosor)	<2
Warp	<30
Arco	<10

Rectificado basto - Se utiliza con la almohadilla de lapeado
Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado
Modelo	JZ-1020
Espesor	1,4 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 85
Relación de compresión	2.92

Paso 2
Proceso de molienda fina de carburo de silicio (SiC) de JIZHI Electronics

Proceso de rectificado rugoso de doble cara de SiC
Equipo de verificación	double-sided36B
Oblea	6″SiC
Lodos de pulido	JZ-8001
Almohadilla pulidora	JZ-1020
Presión	3 psi
Velocidad de rotación del plato superior	25 rpm
Velocidad de rotación de la platina inferior	10 rpm
Caudal de lodo	5L /min
Tasa de pulido	6,8um/H
Rugosidad superficial	0,45 nm
TTV (variación total del grosor)	<2
Warp	<30
Arco	<20

ine Grinding - Se utiliza con la almohadilla de lapeado
Dimensiones y especificaciones de la almohadilla de lapeado
Modelo	JZ-1020
Espesor	1,4 mm
Patrón de ranuras	Personalizable
Dureza	Shore A 85
Relación de compresión	2.92

Proceso de esmerilado fino y basto CMP de JIZHI Electronics para sustratos de SiC

Consejo 1 - Utilizando lodo de rectificado basto con una almohadilla de lapeado, Ra puede alcanzar 1,22 nm o menos.
Consejo 2 - Utilizando una pasta de esmerilado fina con una almohadilla de lapeado, el Ra puede alcanzar 0,45 nm o menos.

Productos y parámetros recomendados para procesos de esmerilado y pulido de carburo de silicio

Método de almacenamiento de la pasta de pulido de carburo de silicio SiC de JIZHI Electronics

Almacenar en un almacén bien ventilado, fresco y seco. El producto debe almacenarse a 5-35 °C, protegido de la luz solar directa y de la congelación. Si se almacena por debajo de 0 °C, puede producirse una aglomeración irreversible que inutilice el producto.

Precios de JIZHI Electronics CMP / Slurry Polishing Liquids

Los lodos de pulido de metales CMP de JIZHI Electronics se fabrican utilizando tecnologías y equipos de producción extranjeros avanzados y se formulan con composiciones químicas especializadas. La calidad de los lodos de pulido de JIZHI Electronics es comparable a la de productos importados similares.

Gracias a la producción localizada, los lodos CMP de JIZHI Electronics ofrecen plazos de entrega cortos, una alta calidad estable y precios competitivos y rentables.