Silicon Carbide Substrate Grinding Slurry

製品カテゴリー

JIZHI Electronics – Silicon Carbide Grinding / Semiconductor Wafer Polishing

製品の特徴

JIZHI Electronics provides two-stage polishing process solutions for silicon carbide (SiC), combining different models of grinding slurries and polishing pads (rough grinding pad / fine grinding pad / rough polishing pad / fine polishing pad). This approach improves the surface quality of SiC substrates during grinding while significantly increasing the material removal rate.

プロセスと応用

Suitable for DMP and CMP processes of SiC substrates, effectively improving efficiency and yield. SiC grinding slurries and polishing pads enable domestic substitution for imported products.

炭化ケイ素基板加工フローの概要

炭化ケイ素(SiC)粉砕プロセス - 粗粉砕/微粉砕

ステップ1
JIZHIエレクトロニクス SiC粗研磨プロセス

SiC両面粗研磨プロセス
検証装置	double-sided36B
ウエハー	6″SiC
研磨スラリー	JZ-8003
研磨パッド	JZ-1020
圧力	3 psi
上プラテン回転速度	25回転
下部プラテン回転速度	10回転
スラリー流量	5L/分
研磨レート	25-30um/H
表面粗さ	1.22nm
TTV（総厚みばらつき）	<2
ワープ	<30
お辞儀	<10

粗研磨 - ラッピングパッドと併用
ラッピングパッドの寸法と仕様
モデル	JZ-1020
厚さ	1.4 mm
グルーヴ・パターン	カスタマイズ可能
硬度	ショアA 85
圧縮比	2.92

ステップ2
JIZHIエレクトロニクス SiC微粉砕プロセス

SiC両面粗研磨プロセス
検証装置	double-sided36B
ウエハー	6″SiC
研磨スラリー	JZ-8001
研磨パッド	JZ-1020
圧力	3 psi
上プラテン回転速度	25回転
下部プラテン回転速度	10回転
スラリー流量	5L/分
研磨レート	6.8um/H
表面粗さ	0.45nm
TTV（総厚みばらつき）	<2
ワープ	<30
お辞儀	<20

INE研磨 - ラッピングパッドと併用
ラッピングパッドの寸法と仕様
モデル	JZ-1020
厚さ	1.4 mm
グルーヴ・パターン	カスタマイズ可能
硬度	ショアA 85
圧縮比	2.92

ジジ・エレクトロニクス、SiC基板のCMP粗研削・精密研削プロセス

ヒント1 - ラッピングパッドで粗研削スラリーを使用すると、Raは1.22nm以下に達することができます。.
ヒント2 - ラッピングパッドで微粉砕スラリーを使用すると、Raは0.45nm以下に達することができます。.

炭化ケイ素の研削/研磨加工に推奨される製品とパラメータ

JIZHIエレクトロニクスSiC炭化ケイ素研磨スラリーの保管方法

換気の良い、涼しく乾燥した倉庫で保管すること。製品は直射日光と凍結を避け、5～35℃で保管すること。0 °C以下で保管すると、不可逆的な凝集が起こり、製品が使用できなくなることがある。.

JIZHIエレクトロニクスCMP/スラリー研磨液の価格

JIZHIエレクトロニクスのCMP用金属研磨スラリーは、海外の高度な生産技術と設備により製造され、特殊な化学組成で調合されています。輸入品と比較しても遜色のない品質です。.

現地生産により、JIZHIエレクトロニクスのCMPスラリーは、短納期、安定した高品質、競争力のある費用対効果の高い価格設定を実現しています。.