LN/LT Slurry
Lithium Tantalate / Lithium Niobate Polishing Slurry, Lithium Tantalate / Lithium Niobate Wafer Polishing Slurry, Lithium Tantalate / Lithium Niobate Grinding and Polishing Slurry, LTLN Polishing Slurry
SiO2/Al2O3/CeO2/ZrO2
Caractéristiques principales
- High-purity raw materials with no contamination
- Fast polishing rate with high planarization
- High removal rate, good stability, low damage layer, and excellent surface quality
Nom du produit
Lithium Tantalate / Lithium Niobate Polishing Slurry, Lithium Tantalate / Lithium Niobate Wafer Polishing Slurry, Lithium Tantalate / Lithium Niobate Grinding and Polishing Slurry, LTLN Polishing Slurry
Product Description
A chemical mechanical polishing slurry / slurry formulation developed for the semiconductor industry and for lithium tantalate / lithium niobate crystal wafer processing, suitable for high-efficiency planarization in precision and ultra-precision applications of LiTaO₃ / LiNbO₃. It is designed to improve the material removal rate of lithium tantalate (LiTaO₃) and lithium niobate (LiNbO₃) wafers, reduce surface roughness, and achieve an ultra-smooth surface.
Caractéristiques du produit
A “two-component” polishing slurry suitable for lithium tantalate (LT) and lithium niobate (LN) substrates.
The polishing slurry JZ-4904 demonstrates excellent performance under high-pressure and high-speed CMP conditions, with the following features:
Achieves higher removal rates and better planarization in a shorter time.
Suitable not only for composite substrates but also for single substrates.
Excellent particle removal, resulting in extremely low particle count after CMP, eliminating the need for additional RCA cleaning.
Features of JIZHI Electronics Lithium Niobate (LiNbO₃) Polishing Slurry
- High-performance CMP polishing slurry for large-scale manufacturing of LiNbO₃ wafers.
- Synthesized through a special process, with spherical, monodispersed nanoparticles of uniform size and narrow particle size distribution, enabling high-quality polishing precision.
- Achieves high removal rates with no subsurface damage and provides excellent stability.
- pH, particle size, and stable ion content can be customized according to requirements.
- Compatible with various polishing pads for polishing applications.
Basic Properties of JZ-4904
| Product | JZ-4904 | ||
|---|---|---|---|
| Model | JZ-4904A Solution | JZ-4904B Solution | |
| Appearance | Liquid – White | Transparent | |
| Densité | 1.28g/cm³ | 1.01g/cm³ | |
| Slurry Particle Size | 50nm | / | |
| pH Value | 10 | 1.1 | |
| USE | Mixing Ratio | DI Water : Solution B : Solution A = 10 : 1.5 : 3.5 | |
| Color | Light Yellow | ||
JZ-4904 Polishing Experiment – Processing Conditions 1
| Polishing Machine | Tokyo Seimitsu CMP Equipment: Champ |
|---|---|
| Product | 4-inch LT Wafer |
| Tampon de polissage | 1C1400 |
| Pressure | 2 psi (low pressure) |
| Platen Speed | 60 rpm |
| Polishing Time | 5 min |
| Flow Rate | 150 mL/min (one-way) |
| Removal Rate | 0.42 μm/min |
| Surface Roughness | < 0.3 nm |
Preparation of JZ~4904 Polishing Liquid
Storage Method for JIZHI Electronics SiC Silicon Carbide Polishing Slurry
Stocker dans un entrepôt bien ventilé, frais et sec. Le produit doit être stocké à une température comprise entre 5 et 35 °C, à l'abri de la lumière directe du soleil et du gel. S'il est stocké à une température inférieure à 0 °C, une agglomération irréversible peut se produire, rendant le produit inutilisable.
Prix des liquides de polissage CMP / Slurry de JIZHI Electronics
Les boues de polissage des métaux CMP de JIZHI Electronics sont fabriquées à l'aide de technologies et d'équipements de production avancés à l'étranger et sont formulées avec des compositions chimiques spécialisées. La qualité des boues de polissage de JIZHI Electronics est comparable à celle de produits importés similaires.
Grâce à une production locale, les boues CMP de JIZHI Electronics offrent des délais de livraison courts, une haute qualité stable et des prix compétitifs et rentables.
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